Создан заказ №11823840
14 ноября 2025
Новое задание по электронике, электротехнике, радиотехнике
Как заказчик описал требования к работе:
Диод.
Задание 1.1.4
Для p-n переходов из Ge, Si, GaAs при температуре 300K рассчитать:
- контактную разность потенциалов
- ширину обедненного слоя p-n перехода
- величину максимального поля.
- рассчитать ширину обедненной области p-n перехода при прямом напряжении и обратном напряжении
- ток
и насыщения
- температурная зависимость тока насыщения
Биполярный транзистор.
Задание 2.1
для планарного дрейфового n-p-n транзистора на основе Si рассчитать:
- коэффиценты γ, k , α, β, τпр и fпр.
- ток эмиттера, ток базы.
- коэффициенты передачи тока в схемах ОБ и ОЭ
- коэффициент усиления сигнала по мощности для усилительного каскада ОЭ
Полевой транзистор.
Задание 3.1
Для полевого транзистора рассчитать:
- C, U и B (дважды, для начальных и изменненых условий)
- дифференциальные сопротивления канала R
Ключ на полевых транзисторах.
Задание 4.1
Для процессора на основе КМДП ключей рассчитать:
- среднюю работу переключения в расчете на один ключ А = P·tср
подробнее
Заказчик
заплатил
заплатил
200 ₽
Заказчик не использовал рассрочку
Гарантия сервиса
Автор24
Автор24
20 дней
Заказчик принял работу без использования гарантии
15 ноября 2025
Заказ завершен, заказчик получил финальный файл с работой
5
Новое задание по электронике, электротехнике, радиотехнике.docx
2025-11-18 19:09
Последний отзыв студента о бирже Автор24
Общая оценка
4
Положительно
Я благодарю Петра, и при необходимости, обращусь к нему снова. Качественно, быстро и надежно. Спасибо!
Хочешь такую же работу?
300 ₽
