Рассчитай точную стоимость своей работы и получи промокод на скидку 300 ₽
Найди эксперта для помощи в учебе
Найти эксперта
+2
Пример заказа на Автор24
Студенческая работа на тему:
InAs. Физические свойства, особенности технологии получения эпитаксиальных пленок. Применение в полупроводнико
Создан заказ №1577194
13 декабря 2016

InAs. Физические свойства, особенности технологии получения эпитаксиальных пленок. Применение в полупроводнико

Как заказчик описал требования к работе:
Используемая литература после 2003г. Оформление в соответствии с образцом.
Фрагмент выполненной работы:
Введение Прогресс современной науки и техники неразрывно связан с успехами как в развитии и совершенствовании технологии получения традиционных полупроводниковых материалов, так и в разработке и исследовании новых перспективных полупроводников. Поразительные возможности современной полупроводниковой электроники и особенно микроэлектроники реализуются только по мере разработки и освоения выпуска полупроводниковых материалов с разнообразными физическими свойствами. (работа была выполнена специалистами author24.ru) Эти материалы позволили создать на их основе миниатюрные усилители и генераторы электрических сигналов, работающие в широком диапазоне частот; интегральные микросхемы для современных компьютеров; преобразователи одного вида энергии в другой; полупроводниковые светодиоды, лазеры и фотоприемники, работающие в ИК- и видимом диапазонах (полупроводниковые лазеры и фотоприемники – составляющие элементной базы волоконно – оптических линий связи); детекторы излучений и частиц; магнитные, пьезо-, сегнетоэлектрические и многие другие устройства. В тоже время открытие новых явлений стимулирует поиск, разработку и освоение производства новых материалов с требуемыми свойствами. Между физикой и технологией полупроводников существует тесная взаимосвязь, и часто оказывается, что получение новых физических результатов становится невозможным без постоянного прогресса в технологии. Работы по эпитаксии прекрасно иллюстрируют эту взаимосвязь. Интерес к исследованию эпитаксиального арсенида индия и узкозонных твердых растворов, близких ему по составу, обусловлен широким применением этих материалов в оптоэлектронной технике. Приборы, созданные на их основе, перекрывают спектральный диапазон от 2.7 до 6 мкмПосмотреть предложения по расчету стоимости
Зарегистрируйся, чтобы получить больше информации по этой работе
Заказчик
заплатил
200 ₽
Заказчик не использовал рассрочку
Гарантия сервиса
Автор24
20 дней
Заказчик принял работу без использования гарантии
14 декабря 2016
Заказ завершен, заказчик получил финальный файл с работой
5
Заказ выполнил
JelenaK
5
скачать
InAs. Физические свойства, особенности технологии получения эпитаксиальных пленок. Применение в полупроводнико.docx
2017-03-28 22:38
Последний отзыв студента о бирже Автор24
Общая оценка
5
Положительно
Автор отлично сделал работу и очень быстро Никаких нареканий нет, большое спасибо!)

Хочешь такую же работу?

Оставляя свои контактные данные и нажимая «Создать задание», я соглашаюсь пройти процедуру регистрации на Платформе, принимаю условия Пользовательского соглашения и Политики конфиденциальности в целях заключения соглашения.
Хочешь написать работу самостоятельно?
Используй нейросеть
Мы создали собственный искусственный интеллект,
чтобы помочь тебе с учебой за пару минут 👇
Использовать нейросеть
Тебя также могут заинтересовать
Организация IDNet в городе Алматы (Казахстан)
Дипломная работа
Радиофизика
Стоимость:
4000 ₽
Защита РЭС
Курсовая работа
Радиофизика
Стоимость:
700 ₽
Линейные цепи
Решение задач
Радиофизика
Стоимость:
150 ₽
исследования аномальной диффузии в плазменном слое ионосферы
Дипломная работа
Радиофизика
Стоимость:
4000 ₽
Сверхширокополосные технологии в биомедицине.
Реферат
Радиофизика
Стоимость:
300 ₽
Магнитное поле Земли
Реферат
Радиофизика
Стоимость:
300 ₽
Классификация стандартов связи
Реферат
Радиофизика
Стоимость:
300 ₽
Инфразвуковые колебания в организме человека
Реферат
Радиофизика
Стоимость:
300 ₽
Помехозащитные устройства. Грозозащита.
Реферат
Радиофизика
Стоимость:
300 ₽
управлением качеством ЭС
Реферат
Радиофизика
Стоимость:
300 ₽
Читай полезные статьи в нашем
Генератор гармонических колебаний
Наиболее распространенной формой линейного осциллятора является электронный усилитель, такой как транзистор или операционный усилитель, подключенный к цепи обратной связи, выход которого подается обратно на его вход через частотно-селективный электронный фильтр для обеспечения положительной обратной связи.
По типу частотно-избирательной цепи они делятся на LC- и RC-генераторы.
В генераторе RC-цепи, ...
подробнее
Генератор гармонических колебаний
Наиболее распространенной формой линейного осциллятора является электронный усилитель, такой как транзистор или операционный усилитель, подключенный к цепи обратной связи, выход которого подается обратно на его вход через частотно-селективный электронный фильтр для обеспечения положительной обратной связи.
По типу частотно-избирательной цепи они делятся на LC- и RC-генераторы.
В генераторе RC-цепи, ...
подробнее
Теперь вам доступен полный отрывок из работы
Также на e-mail вы получите информацию о подробном расчете стоимости аналогичной работы