Создан заказ №2784148
16 марта 2018
Исследование короткоканальных эффектов в hemt транзисторах
Как заказчик описал требования к работе:
Уже проведен анализ различных структур hemt, и после обработки всех данных (я их предоставлю при необходимости) выделена самая интересная структура на данный момент (также есть эскиз, со всеми материалами и толщинами функциональных слоев)
Что хотелось бы:
1) Моделирование описанной выше структуры в
программной среде matlab (на самом деле возможно моделирование транзистора как три потенциальных ямы, код могу предоставить, но необходимо включить в эту модель кк эффекты)
2) Более продвинутое моделирование в программе TCAD synopys
3) Снятие вах с реального транзистора
4) Сравнение этих моделей и реальной вах
5) Непосредственно сделать вывод об области применимости моделей
подробнее
Заказчик
заплатил
заплатил
3000 ₽
Заказчик оплатил в рассрочку
Гарантия сервиса
Автор24
Автор24
20 дней
Заказчик принял работу без использования гарантии
23 марта 2018
Заказ завершен, заказчик получил финальный файл с работой

5

Исследование короткоканальных эффектов в hemt транзисторах.docx
2018-03-26 15:13
Последний отзыв студента о бирже Автор24
Общая оценка
4

Положительно
Автор с вами на протяжении всей работы, что очень важно, отзывчивый. Всегда подправит если что не так. Рекомендую данного автора!