Создан заказ №3274331
30 октября 2018
«Изучение физических основ работы полупроводниковых приборов» по дисциплине «Физические основы электроники»
Как заказчик описал требования к работе:
Нужна курсовая работа по физике. Готовая работа уже есть, но препод не принял. Надо добавить практические примеры ОБЯЗАТЕЛЬНО! Еще нужно вывод переделать. Переделать до завтрашнего утра! Заплачу больше за срочность.
Фрагмент выполненной работы:
ВВЕДЕНИЕ
Курсовая работа по дисциплине «Физические основы электроники» заключается изучении физических основ работы полупроводниковых приборов и состоит из трёх заданий:
Изучение свойств p-n перехода.
Изучение свойств диодов.
Изучение свойств биполярного транзистора, а именно проведение расчёта каскада усилителя напряжения низкой частоты с реостатно-ёмкостной связью
Целью курсовой работы является:
закрепление теоретических знаний, полученных при изучении дисциплины;
формирование углубленного понимания физических процессов в усилительных устройствах;
изучение методов расчета усилительных устройств и их основных параметров;
усвоение правил составления и оформления технической документации.
Задание 1
Начертите схему включения p-n перехода, соответствующую заданному состоянию; покажите токи, протекающие через p-n переход, их направление и соотношение; укажите порядок величины результирующего тока.
Таблица 1
Номер варианта Состояние p-n-перехода
19 Прямое включение
n-p - переходом называется двойной электрический слой положительных и отрицательных ионов на контакте акцепторного и донорного полупроводников.
Величина энергии тормозящего электрического поля n-p - перехода называется потенциальным барьером.
Разность потенциалов собственного электрического поля n-p - перехода называется контактной разностью.
n-p - переход, смещен в прямом направлении, если источник внешнего поля подключен плюсом к выводу р- полупроводника, а минусом к выводу n-полупроводника. (работа была выполнена специалистами Автор 24) При этом внешнее поле направлено навстречу собственному полю n-p --перехода. Суммарное поле уменьшается и снижается потенциальный барьер.
. Через n-p -переход протекают два тока: дрейфовый и диффузионный.
Диффузионный ток – ток основных носителей: электронов в доноре и дырок в акцепторе . Физически диффузионный ток представляет собой встречную диффузию электронов и дырок. За преимущественное направление выбирается направление движения дырок. Так как в диодных структурах донорная база слабо легирована (меньше примесей). Поставщиком основных носителей являются примеси.
Дрейфовый ток – ток неосновных носителей: дырок в доноре, электронов в акцепторе . Поставщиком неосновных носителей является монокристалл германия или кремния. Дрейфовый ток всегда направлен в сторону противоположную диффузионному току.
Рис. 1. Прямое включение n-p – перехода. Движение носителей заряда в случае прямого включения
Диффузионный ток увеличивается, дрейфовый ток через переход не меняется, поскольку он определяется только количеством неосновных носителей заряда в данном полупроводнике. Для данного полупроводника концентрация их при определенной температуре является постоянной. Результирующий прямой ток определяется разностью диффузионного и дрейфового тока :
(1)
С увеличением внешнего напряжения прямой ток увеличиваетсПосмотреть предложения по расчету стоимости
Заказчик
заплатил
заплатил
500 ₽
Заказчик не использовал рассрочку
Гарантия сервиса
Автор24
Автор24
20 дней
Заказчик воспользовался гарантией, чтобы исполнитель повысил уникальность работы
2 ноября 2018
Заказ завершен, заказчик получил финальный файл с работой
5
«Изучение физических основ работы полупроводниковых приборов» по дисциплине «Физические основы электроники» .docx
2018-11-05 14:11
Последний отзыв студента о бирже Автор24
Общая оценка
5
Положительно
Спасибо большое за ваши труды, отличный работник) Все сделано качественно и в скор!
Хочешь такую же работу?
300 ₽
