Рассчитай точную стоимость своей работы и получи промокод на скидку 200 ₽
Найди эксперта для помощи в учебе
Найти эксперта
+2
Пример заказа на Автор24
Студенческая работа на тему:
В таблице приведены полупроводниковый материал и полупроводниковый прибор Номер варианта Наименование полупроводникового
Создан заказ №3552555
24 января 2019

В таблице приведены полупроводниковый материал и полупроводниковый прибор Номер варианта Наименование полупроводникового

Как заказчик описал требования к работе:
Нужно выполнить контрольную по физике. Есть 6 задач и 3 теор.вопроса, срок - к 23-ему числу. Оплату обсудим в личном диалоге.
Фрагмент выполненной работы:
В таблице приведены полупроводниковый материал и полупроводниковый прибор Номер варианта Наименование полупроводникового: материала прибора 9 Кремний Фотоэлемент Дайте определение полупроводника. Приведите классификацию полупроводниковых материалов. Укажите, от каких факторов зависит электропроводность полупроводников. Кратко опишите заданный материал, укажите области его использования. Укажите назначение полупроводникового прибора, опишите принцип его действия. (работа была выполнена специалистами Автор 24) Укажите полупроводниковые материалы, используемые в данном приборе. Решение: Полупроводник - материал, электропроводность которого имеет промежуточное значение между проводимостями проводника и диэлектрика. Отличаются от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучения. Основным свойством этих материалов является увеличение электрической проводимости с ростом температуры. Классификация Полупроводниковые материалы по химическому составу можно разделить на простые и сложные. Простыми полупроводниковыми материалами являются химические элементы: бор В, углерод СО2, германий Ge, кремний Si, селен So, сера S, сурьма Sb, теллур Те и йод J. Наиболее широкое применение как самостоятельные полупроводниковые материалы нашли только три из них: германий, кремний и селен. Другие используются как легирующие добавки к германия и кремния или компонентов сложных полупроводниковых материалов. В группу сложных полупроводниковых материалов входят химические соединения, обладающие полупроводниковыми свойствами и включают в себя два, три или больше элементы, например арсенид галлия GaAs, телерадио висмута Bi2Te3, силицид цинка и фосфора ZnSi2 и др. Полупроводниковые материалы этой группы, состоящие из двух элементов, называются бинарными соединениями и так же, как это принято в неорганической химии, имеют наименование того компонента, у которого металлические свойства выражены слабее. Так, бинарные соединения, содержащие мышьяк, называют арсенид, серу - сульфидами, теллур-теллурида, углерод - карбидами. К сложным полупроводниковых материалов относят также Тирит, Силит, феррит, аморфные стекла и др. Различают примесные и собственные полупроводники, собственные, т.е. беспримесные полупроводники. В собственных полупроводниках переход электронов в зону проводимости осуществляется только из валентной зоны, поскольку в запрещённой зоне отсутствуют разрешённые уровни, вносимые примесными атомами. Носителями заряда в таком полупроводнике являются электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне. Количество носителей в обеих зонах совпадает. Собственные свойства полупроводников – это свойства собственных полупроводников. Определяются они химическим составом, типом межатомного взаимодействия и уровнем структурного совершенства. Собственные свойства полупроводников не зависят от технологических приёмов их получения. К собственным свойствам относятся, например, такие показатели, как концентрация собственных носителей, их подвижность, ширина запрещённой зоны и те показатели, которые, так или иначе, зависят от перечисленных. Технология полупроводниковых материалов требует использования чистых исходных материалов. Однако, очистив полупроводниковый материал до необходимого уровня, далее его снова начинают "загрязнять", поскольку основным способом придания полупроводниковым материалам необходимых свойств является введение в них тех или иных примесей. Преднамеренное введение примеси называется легированием, соответствующие примеси – легирующие, а полупроводник – легированным или примесным. Кроме легирующих примесей существуют случайные или фоновые примеси, непреднамеренно вводимые в полупроводник в процессе его производства и обработки. Типичный пример – это кислород в кремнии, который попадает в кристалл при его выращивании из расплава. Кислород попадает в расплав, в результате его взаимодействия с кварцевым тиглем. Фоновые примеси, как правило, ухудшают основные свойства материала и затрудняют управление ими. Электропроводность полупроводников зависит от освещенности, то есть полупроводникам свойственна так называемая фотопроводимость. Полупроводники могут преобразовывать энергию света в электрический ток. Электропроводность полупроводников можно значительно увеличить введением в них атомов других элементов (примесей). Кремний – неметалл, однако при разных условиях может проявлять и кислотные, и основные свойства. Является типичным полупроводником и чрезвычайно широко используется в электротехнике. Физические и химические его свойства во многом определяются аллотропным состоянием. Чаще всего дело имеют с кристаллической формой, поскольку ее качества более востребованы в народном хозяйстве. Кремний по классификации является простым полупроводником. Физические свойства вещества таковы: - температура плавления – 1417 С; - температура кипения – 2600 С; - плотность составляет 2,33 г/куб. см, что свидетельствует о хрупкости; - теплоемкость, как и теплопроводность не постоянны даже на самых чистых пробах: 800 Дж/(кг·К), или 0,191 кал/(г·град) и 84-126 вт/(м·К), или 0,20-0,30 кал/(см·сек·град) соответственно; - прозрачен для длинноволнового ИК-излучения, что используется в инфракрасной оптике; - диэлектрическая проницаемость – 1,17; - твердость по шкале Мооса – 7. Электрические свойства неметалла сильно зависят от примесей. В промышленности эту особенность используют, модулируя нужный тип полупроводника...Посмотреть предложения по расчету стоимости
Зарегистрируйся, чтобы получить больше информации по этой работе
Заказчик
заплатил
200 ₽
Заказчик не использовал рассрочку
Гарантия сервиса
Автор24
20 дней
Заказчик принял работу без использования гарантии
25 января 2019
Заказ завершен, заказчик получил финальный файл с работой
5
Заказ выполнил
АндрейZ71
5
скачать
В таблице приведены полупроводниковый материал и полупроводниковый прибор Номер варианта Наименование полупроводникового.docx
2019-01-28 13:57
Последний отзыв студента о бирже Автор24
Общая оценка
5
Положительно
Спасибо за работу, с автором сотрудничаю не первый раз и всем советую, добросовестный автор.

Хочешь такую же работу?

Оставляя свои контактные данные и нажимая «Создать задание», я соглашаюсь пройти процедуру регистрации на Платформе, принимаю условия Пользовательского соглашения и Политики конфиденциальности в целях заключения соглашения.
Хочешь написать работу самостоятельно?
Используй нейросеть
Мы создали собственный искусственный интеллект,
чтобы помочь тебе с учебой за пару минут 👇
Использовать нейросеть
Тебя также могут заинтересовать
Суперразрешение
Реферат
Физика
Стоимость:
300 ₽
Электромагнетизм
Контрольная работа
Физика
Стоимость:
300 ₽
лабораторная работа выполняем по описанию или по образцу
Лабораторная работа
Физика
Стоимость:
300 ₽
физика
Контрольная работа
Физика
Стоимость:
300 ₽
Осмос
Реферат
Физика
Стоимость:
300 ₽
контрольная по тепломассообмену спбгтурп
Контрольная работа
Физика
Стоимость:
300 ₽
Физика и Математика 1 курс
Контрольная работа
Физика
Стоимость:
300 ₽
Линейные электрические цепи однофазного переменного тока
Контрольная работа
Физика
Стоимость:
300 ₽
Механика сплошной среды
Контрольная работа
Физика
Стоимость:
300 ₽
электростатика и диэлектрики
Контрольная работа
Физика
Стоимость:
300 ₽
Электрические цепи синусоидального тока
Контрольная работа
Физика
Стоимость:
300 ₽
контрольная работа
Контрольная работа
Физика
Стоимость:
300 ₽
К.р. по Теплофизике №2
Контрольная работа
Физика
Стоимость:
300 ₽
Читай полезные статьи в нашем
Зависимости показателей преломления и поглощения от частоты
Для получения зависимости показателя преломления вещества от частоты следует провести анализ механизма поляризации атома (молекулы) в электромагнитном поле волны света.
При распространении волны света сквозь вещество на каждый электрон среды действует сила, которую можно представить как:
где \alpha \ -- определяется координатами рассматриваемого электрона, E_0 -- амплитуда напряженности электри...
подробнее
Релятивистское обобщение модели Бора
Рассмотрим водородоподобную систему, в которой Z\gg 1 . В таких атомах электрон превращается в релятивистскую частицу. Для описания состояния такой системы модели Бора в классическом ее представлении становится недостаточно. Приведем релятивистское обобщение данной модели. При этом рассмотрим круговые орбиты. Уравнение движения электрона в релятивистском виде запишем как:
Так как электрон движется...
подробнее
Топологическая квантовая теория поля
Топология – это наука, изучающая непрерывные отображения. С точки зрения типологии два пространства могут быть преобразованы одно в другое без склеиваний и разрывов.
Для того чтобы имело смысл понятие непрерывного отображения, доста­точно, чтобы было определено расстояние между точками пространства. Кроме того, достаточно, если определено, какие именно точки пространства близки друг к другу (точнее...
подробнее
Луис Альварес, физик-экспериментатор
Луис Уольер Альварес (1911 -1988 гг.) был американским физиком-экспериментатором. Его научные интересы были довольно широкими. Он занимался:
В 1937 голу Л. Альварес экспериментально показал существование K – захвата, как нового вида радиоактивного превращения.
В 1939 г. он открыл {}^3{He\ } применив циклотрон в роли высокочастотного масс – спектрометра.
В 1940 году Л. Альварес и Ф. Блох смогли изм...
подробнее
Зависимости показателей преломления и поглощения от частоты
Для получения зависимости показателя преломления вещества от частоты следует провести анализ механизма поляризации атома (молекулы) в электромагнитном поле волны света.
При распространении волны света сквозь вещество на каждый электрон среды действует сила, которую можно представить как:
где \alpha \ -- определяется координатами рассматриваемого электрона, E_0 -- амплитуда напряженности электри...
подробнее
Релятивистское обобщение модели Бора
Рассмотрим водородоподобную систему, в которой Z\gg 1 . В таких атомах электрон превращается в релятивистскую частицу. Для описания состояния такой системы модели Бора в классическом ее представлении становится недостаточно. Приведем релятивистское обобщение данной модели. При этом рассмотрим круговые орбиты. Уравнение движения электрона в релятивистском виде запишем как:
Так как электрон движется...
подробнее
Топологическая квантовая теория поля
Топология – это наука, изучающая непрерывные отображения. С точки зрения типологии два пространства могут быть преобразованы одно в другое без склеиваний и разрывов.
Для того чтобы имело смысл понятие непрерывного отображения, доста­точно, чтобы было определено расстояние между точками пространства. Кроме того, достаточно, если определено, какие именно точки пространства близки друг к другу (точнее...
подробнее
Луис Альварес, физик-экспериментатор
Луис Уольер Альварес (1911 -1988 гг.) был американским физиком-экспериментатором. Его научные интересы были довольно широкими. Он занимался:
В 1937 голу Л. Альварес экспериментально показал существование K – захвата, как нового вида радиоактивного превращения.
В 1939 г. он открыл {}^3{He\ } применив циклотрон в роли высокочастотного масс – спектрометра.
В 1940 году Л. Альварес и Ф. Блох смогли изм...
подробнее
Теперь вам доступен полный отрывок из работы
Также на e-mail вы получите информацию о подробном расчете стоимости аналогичной работы