Создан заказ №4184197
5 сентября 2019
Тонкие пленки нитрида кремния: синтез, состав, структура
Как заказчик описал требования к работе:
Предмет: физика полимеров. В прикрепленных файлах методичка по оформлению и список литературы, в которых есть вся необходимая информация. Срок сдачи плавающий - чем раньше тем лучше без жестких рамок, но со здравым смыслом
Фрагмент выполненной работы:
Введение
Нитрид кремния известен как материал используемый преимущественно в микроэлектронной промышленности, а также в микроэлектронных механических системах. Обычно он используется как пассивирующий материал либо как материал для изоляции в процессах микрообработки или монтажа микросхем благодаря отличным адгезионным свойствам. Пленки нитрида кремния обеспечивают защиту от коррозии во влагосодержащих средах. (работа была выполнена специалистами Автор 24) Подтверждением таких свойств является широкое использование тонких слоев нитрида кремния для пассивации алюминиевых контактных площадок и межсоединений в ИС. Кроме того, нитрид кремния широко используется для производства микроструктур благодаря своей хорошей механической стойкости и высокой износоустойчивости.
Свойства синтезированных слоев находятся в явной зависимости от особенностей используемого метода и таких характеристик процесса, как температура и состав реакционной среды. В целом эффективность использования различных способов синтеза слоев нитрида кремния в технологии изготовления интегральных схем неодинакова. Метод химического осаждения из газовой фазы является универсальным и получил в настоящее время широкое практическое использование в силу того что, что дает возможность добиться большой производительности при высоком качестве слоев. Плазмохимические методы позволят существенно снизить температуру кристалла при синтезе слоев нитрида кремния, а это имеет решающее значение и технологии приборов на полупроводниковых соединениях, однако такие слои по ряду свойств значительно уступают слоям полученным при осаждении из газовой фазы. Таким образом, в настоящее время актуальной задачей является разработка низкотемпературных методов получения диэлектрических материалов в виде тонких высококачественных пленок различного функционального назначения. Использование высокотемпературных процессов для синтеза подобных слоев приводит к генерации и развитию структурных дефектов в полупроводниковых структурах, термической деформации подложек, перераспределению примесей в структурах, что неизбежно вызывает снижение выхода годных приборов. В связи с этим большое распространение в последнее время получили установки, реализующие низкотемпературный процесс плазмохимического осаждения из газовой фазы (ПХОГФ), с помощью которого можно получать диэлектрические пленки нанометровой толщины хорошего качества.
Целью данной работы является рассмотрение современный методов получения пленок нитрида кремния, а так же свойств и структуры получаемых продуктов в зависимости от условий синтеза.
Классификация методов синтеза
Для получения нитридокремниевых пленок, покрытий и слоев применяется несколько способов, которые можно классифицировать на высокотемпературные и низкотемпературные методы. Свойства получаемых пленочных структур напрямую зависят от условий используемых методов синтеза и особенно зависят от температуры и состава реакционной среды.
В целом эффективность использования различных способов синтеза слоев нитрида кремния в технологии изготовления интегральных схем неодинакова. Известно, что при синтезе слоев по реакциям прямого взаимодействия кремния с аммиаком или азотом возможно получить слои толщиной только до 100 Å. Метод химического осаждения из газовой фазы является универсальным и получил в настоящее время широкое практическое использование в силу того что, что дает возможность добиться большой производительности при высоком качестве слоев. Плазмохимические методы позволят существенно снизить температуру кристалла при синтезе слоев нитрида кремния, а это имеет решающее значение и технологии приборов на полупроводниковых соединениях, однако такие слои по ряду свойств значительно уступают слоям полученным при осаждении из газовой фазы.
В данной разделе дано описание основных процессов, используемых для синтеза слоев нитрида кремнияПосмотреть предложения по расчету стоимости
Заказчик
заплатил
заплатил
500 ₽
Заказчик не использовал рассрочку
Гарантия сервиса
Автор24
Автор24
20 дней
Заказчик воспользовался гарантией для внесения правок на основе комментариев преподавателя
8 сентября 2019
Заказ завершен, заказчик получил финальный файл с работой
5
Тонкие пленки нитрида кремния: синтез, состав, структура.docx
2019-09-11 16:03
Последний отзыв студента о бирже Автор24
Общая оценка
4.6
Положительно
У этого автора больше не закажу. Цена и качество кошмар. Работа для начальной школы.
Хочешь такую же работу?
300 ₽
