Создан заказ №44151
18 августа 2013
Градиенты физических параметров в монокристалле во время роста. Расчет профиля концентрации летучей примеси в
Как заказчик описал требования к работе:
Написать курсовую работу на тему: "Градиенты физических параметров в монокристалле во время роста. Расчет профиля концентрации летучей примеси в монокристалле арсенида галлия"
Только теоретическая часть!
Необходимо расписать тему подробно и не отдаляясь от сути.
Важно: цитатами не злоупотреблять,
на каждую цитату делать сноску с номером на источник и страницу материала!
Список рекомендованной литературы:
1. Глазов В. М., Земсков В. С. Физико-химические основы легирования полупроводников. -М.: Наука, 1967. -С. 371.
2. Беляев А. И. Физико-химические основы очистки металлов и полупроводниковых материалов. -М.: Металлургия, 1973. -С.224.
3. Фистуль В. И. Физика и химия твердого тела. Т. 2. -М.: Металлургия, 1995. -С. 320.
4. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. -М.: Мир, 1977. -С. 562.
5. Уфимцев В. Б., Лобанов А. А. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводниковых материалов. -М.: Металлургия, 1981. -С. 216.
6. Пфанн В. Зонная плавка. -М.: Мир, 1970. -С. 366.
7. Нисельсон Л. А., Ярошевский А. Г. Межфазовые коэффициенты распределения. 8. Равновесия кристалл-жидкость и кристалл-пар. -М.: Наука, 1992. -С. 390.
9. Вигдорович В. Н., Вольпян А. Е., Курдюмов Г. М. Направленная кристаллизация и физико-химический анализ. -М.: Химия, 1976. -С. 198.
10. Мильвидский М. Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. -М.: Металлургия, 1974. -С. 392.
11. Горелик С. С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и металловедение. -М.: Металлургия, 1973. -С. 496.
12. Левицкий Ю. Т. Макроскопические дефекты кристаллической структуры и свойства материалов. -М.: Наука, 1988. -С. 200.
13. Латышев А.В. Моноатомные ступени на поверхности кремния.- 2006.
14. Третьяков Ю.Д., Путляев В.И. Введение в химию твердофазных материалов. –М: МГУ, 2006. -400с.
15. Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела. – М.Высшая школа, 1993. -352с.
16. Павлов К.Ф., Романков П.Г., Носков А.А. Примеры и задачи по курсу процессов и аппаратов химической технологии
17 Таиров Ю.М. Цветков В.Ф.Технология полупроводниковых диэлектрических материалов: Учебник для вузов.
Можно использовать и интернет ресурсы, только с обязательным добавлением ссылки в список литератур
подробнее
Заказчик
заплатил
заплатил
500 ₽
Заказчик не использовал рассрочку
Гарантия сервиса
Автор24
Автор24
20 дней
Заказчик принял работу без использования гарантии
21 августа 2013
Заказ завершен, заказчик получил финальный файл с работой
5
Градиенты физических параметров в монокристалле во время роста. Расчет профиля концентрации летучей примеси в .docx
2020-01-20 15:44
Последний отзыв студента о бирже Автор24
Общая оценка
4
Положительно
Все было отлично, пока у автора не случились личные проблемы, из-за которых работа не была выполнена в срок. Готов был подождать пару дней, но после мне не отвечали на сообщения, увы пришлось делать перерасчёт!
Хочешь такую же работу?
300 ₽
