Создан заказ №4604811
1 февраля 2020
Цель настоящей работы – провести моделирование распределения примеси в кремнии после процесса диффузии и разработать на основе полученных данных маршрут и режимы изготовления полупроводника в соответствии с заданием.
Как заказчик описал требования к работе:
Нужно сделать курсовую работу по электронике, электротехнике, радиотехнике за 7 дней, оформлять не нужно, главное все подробно расписать в курсовой и список источников литературы приложить.
Фрагмент выполненной работы:
Введение
Диффузия в полупроводниках это процесс последовательного перемещения атомов примеси в кристаллической решетке, обусловленной тепловым движением. Для изготовления р-n перехода используется химическая диффузия примесных атомов, которые вводятся в кристаллическую решетку вещества для изменения его электрофизических свойств. Перемещение примеси в решетке происходит посредством последовательных скачков, осуществляемых в трех направлениях.
При наличии градиента концентрации собственных или примесных атомов на их диффузию оказывают влияние точечные дефекты.
Задачи технологического этапа диффузии:
- управление концентрацией легирующей примеси в подложке,
- обеспечение однородности легирования,
- обеспечение воспроизводимости процесса,
- увеличение числа подложек, подвергаемых одновременному легированию, для снижения себестоимости продукции.
Назначение диффузии:
- формирование базовых и эмиттерных областей и резисторов в биполярной технологии,
- создание областей истока и стока в МОП технологии,
- для легирования поликристаллического кремния.
Способы диффузии:
- диффузия из химического истока в парообразной форме при высоких температурах,
- диффузия из легированных окислов,
- диффузия из ионно-имплантированных слоев с последующим отжигом (проводится для активирования имплантации атомов и уменьшения числа дефектов).
Изучение диффузии ведется в направлении создания на основе экспериментальных данных точных моделей, способных предсказывать протекание процесса диффузии путем теоретического анализа. (работа была выполнена специалистами Автор 24) Конечная цель этого анализа - определение электрических характеристик полупроводниковых приборов на основе параметров технологического процесса расчетным путем.
Цель настоящей работы – провести моделирование распределения примеси в кремнии после процесса диффузии и разработать на основе полученных данных маршрут и режимы изготовления полупроводника в соответствии с заданиемПосмотреть предложения по расчету стоимости
Заказчик
заплатил
заплатил
500 ₽
Заказчик не использовал рассрочку
Гарантия сервиса
Автор24
Автор24
20 дней
Заказчик принял работу без использования гарантии
4 февраля 2020
Заказ завершен, заказчик получил финальный файл с работой
5
Цель настоящей работы – провести моделирование распределения примеси в кремнии после процесса диффузии и разработать на основе полученных данных маршрут и режимы изготовления полупроводника в соответствии с заданием..docx
2020-02-07 20:16
Последний отзыв студента о бирже Автор24
Общая оценка
5
Положительно
Работа выполнена точно в срок, очень качественно. Приятное общение с автором. Спасибо за сотрудничество!
Хочешь такую же работу?
300 ₽
