Студенческая работа на тему:

Неравновесные носители, процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках

Решение задач Физика

Создан заказ №4880562

12 апреля 2020

Неравновесные носители, процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках

Как заказчик описал требования к работе:

6. Образец германия, находящийся при комнатной температуре (290К) подвергается непрерывному воздействию фотонов. Такое внешнее воздействие ионизирует атомы примеси, создавая концентрацию примесей (см-3) и обуславливая постоянную генерацию G электронно-дырочных пар в секунду в единице объема. Посчит айте избыточную концентрацию носителей, а также относительное изменение концентрации носителей вследствие действия фотонов, если время жизни электронов и дырок равны (мс). Пусть действие фотонов прекращается в момент времени, . За какое время избыточная концентрация снизится до 5% начального значения.

подробнее

Заказчик
заплатил

20 ₽

Заказчик не использовал рассрочку

Гарантия сервиса
Автор24

20 дней

Заказчик принял работу без использования гарантии

13 апреля 2020

Заказ завершен, заказчик получил финальный файл с работой

Заказ выполнил

user911

Неравновесные носители, процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках.jpg

2020-04-16 20:24

Последний отзыв студента о бирже Автор24

Общая оценка

4.1

Положительно

Замечательный автор, спасибо большое вам)) Всем советую этого автора, делает быстро, хорошо))

Хочешь такую же работу?

Скидка

100 ₽

на первый заказ

Оставляя свои контактные данные и нажимая «Создать задание», я соглашаюсь пройти процедуру регистрации на Платформе, принимаю условия Пользовательского соглашения и Политики конфиденциальности в целях заключения соглашения.

Хочешь написать работу самостоятельно?

Используй нейросеть

Мы создали собственный искусственный интеллект,
чтобы помочь тебе с учебой за пару минут 👇

Использовать нейросеть

Тебя также могут заинтересовать

по этому предмету по этому типу и предмету

Написать небольшие рефераты.

Реферат

Физика

Стоимость:

300 ₽

Квантовая физика. Атом. Ядро

Решение задач

Физика

Стоимость:

150 ₽

Пучок параллельных лучей с длиной волны 500 нм падает под углом 45° на мыльную плёнку с показателем преломлени

Решение задач

Физика

Стоимость:

150 ₽

Решить одну вузовскую задачу по физике на тему электричество и магнетизм

Решение задач

Физика

Стоимость:

150 ₽

Эффект марангони в простейших живых организмах

Реферат

Физика

Стоимость:

300 ₽

Задачи по общей физике (МКТ и ТД)

Решение задач

Физика

Стоимость:

150 ₽

Создание симуляции распространения коротковолнового сигнала любой формы через ионосферу

Лабораторная работа

Физика

Стоимость:

300 ₽

термодинамика

Контрольная работа

Физика

Стоимость:

300 ₽

Расчётно графическая работа

Контрольная работа

Физика

Стоимость:

300 ₽

Дистанционный экзамен в МАИ на Техносферную безопасность

Помощь on-line

Физика

Стоимость:

700 ₽

Проверка основного закона вращения твёрдого тела на крестообразном маятник

Решение задач

Физика

Стоимость:

150 ₽

Вычислить (в кН) величину силы, вызывающей поперечное смещение траектории самолета массой 100 т

Решение задач

Физика

Стоимость:

150 ₽

Куля радіусом 1 см, що має заряд 5 нКл, поміщена у гас. Густина мате

Решение задач

Физика

Стоимость:

150 ₽

Две частицы движутся вдоль оси x, согласно уравнениям x1=5+8t+2t^3 (м)

Решение задач

Физика

Стоимость:

150 ₽

решить одну задачу по физике, а к другой задаче только сделать рисунок

Решение задач

Физика

Стоимость:

150 ₽

Определение концентрации при центрифугировании

Решение задач

Физика

Стоимость:

150 ₽

Задача на тему вращения тел под влиянием силы гравитации

Решение задач

Физика

Стоимость:

150 ₽

Задача: Камень, брошенный с крыши дома под углом 30о к горизонту, чере

Решение задач

Физика

Стоимость:

150 ₽

В результате нагревания идеального газа его давление (p) при постоянн

Решение задач

Физика

Стоимость:

150 ₽

Мегатонная бомба взрывается в подземной полости, радиус ко- торой 100 м. Каким будет давление в полости, если

Решение задач

Физика

Стоимость:

150 ₽

Читай полезные статьи в нашем

Высокотемпературные сверхпроводники

Использование сверхпроводников на практике ограничено тем, что явление сверхпроводимости наблюдается при очень низких температурах.
До 1986 года был найден сплав со сверхпроводящими свойствами, которые обнаруживались при температуре 23,2 К, устоялось мнение, что сверхпроводников с более высокой критической температурой нет. Но в 1986 году ученые И. Беднорц и К. Мюллер обнаружили явление сверхпровод...

подробнее

Механические гармонические колебания

Большое число физических процессов можно представить как малое отклонение от положения равновесия.
Рассмотрим систему, которая состоит из шарика, укрепленного на упругой пластине (рис.1). В положении равновесия пластина немного изогнута, при этом шарик находится в покое в некоторой точке . Отклоним этот шарик вертикально и отпустим. Вопрос: как будет происходить перемещение данного шарика?

Рису...

подробнее

Кварковая звезда

Масса звезды виляет на ее температуру, чем больше масса, тем:
Источником энергии звезд являются термоядерные реакции, в которых ядра легких атомов трансформируются в более тяжелые. Эти реакции идут так:
При завершении эволюции массивной звезды в ее центре образуется ядро, состоящее из тяжелых элементов. В структуре этого ядра тяжелые элементы сосредоточены внутри, а внешняя оболочка ядра составлена ...

подробнее

Поле Хиггса как физическая гипотеза

Считают, что квантами поля Хиггса являются:
Существует гипотеза о том, что Вселенная представляет собой неразрывную тройную структуру, которая состоит из перечисленных выше бозонов – нейтральной поверхности раздела фаз скалярного поля потенциальной энергии.
Применяя гипотезу о поле Хиггса, объясняют нарушение симметрии электрослабых взаимодействий, поскольку оно нарушает симметрию вакуума. Поле Хигс...

подробнее

Высокотемпературные сверхпроводники

подробнее

Механические гармонические колебания

подробнее

Кварковая звезда

подробнее

Поле Хиггса как физическая гипотеза

подробнее

Главная Лента заказов Решенные задачи Физика Неравновесные носители, процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках