Создан заказ №5367559
7 июля 2020
Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках
Как заказчик описал требования к работе:
Глава 1.
1.1 Механизм образования области пространственного заряда на границе раздела металл/полупроводник.
1.2 Зависимость барьерной емкости контакта металл/полупроводник с барьером Шоттки от величины приложенного смещения.
1.3 Влияние примесных центров на вид вольт-фарадной характеристики барьера
Шоттки.
1.4 Дрейфовая и дрейфово-диффузионная модели протекания тока в барьере Шоттки.
1.5 Переходные процессы при переключении контакта металл/полупроводник с барьером Шоттки.
Глава 2.
2.1 Суть метода нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS).
2.2 Разновидности DLTS.
2.3. Спектры DLTS для Si, GaAs и твердых растворов на основе InGaAs, AlGaAs. Типы дефектов, их энергии активации.
И обзор литератур
подробнее
Заказчик
заплатил
заплатил
500 ₽
Заказчик не использовал рассрочку
Гарантия сервиса
Автор24
Автор24
20 дней
Заказчик воспользовался гарантией, чтобы исполнитель повысил уникальность работы
10 июля 2020
Заказ завершен, заказчик получил финальный файл с работой
5
Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках.docx
2020-07-13 09:28
Последний отзыв студента о бирже Автор24
Общая оценка
5
Положительно
Отличный автор, всем советую. В очень короткие сроки выполнил заказанную мной работу.
Хочешь такую же работу?
300 ₽
