Исследование гибридных гетероструктур GaN Si методом рамоновской спектроскопии

Структура дипломной работы: 1. Введение 2. Обзор литературы 3. Методика исследования 4. Результаты исследования 5. Анализ результатов и обсуждение 6. Заключение 7. Список использованных источников 8. Приложения Введение: В настоящее время гибридные гетероструктуры, состоящие из полупроводниковых материалов, продемонстрировали высокий потенциал для различных приложений, включая например солнечные элементы, светодиоды и транзисторы. Одним из таких материалов является галлиевый азот (GaN), который обладает широкой запрещенной зоной и высокой подвижностью электронов. Вместе с тем, дочерний материал кремний (Si) обладает высокой механической прочностью и низкой стоимостью. Как следствие, гибридные гетероструктуры GaN/Si представляют собой интересный объект исследования с точки зрения их физических свойств и потенциалом для применений в электронике и фотовольтаике. Целью данной работы является исследование гибридных гетероструктур GaN/Si методом рамановской спектроскопии. В рамках работы были выполнены следующие задачи: обзор литературы по теме исследования, разработка методики исследования и проведение экспериментов для получения данных, анализ результатов исследования и обсуждение полученных результатов. Для достижения запланированных целей использовался метод рамановской спектроскопии, который позволяет анализировать оптические свойства материалов и выявлять особенности их структуры и фазового состояния. Результаты экспериментов представлены в виде спектров рамановской активности гибридных гетероструктур GaN/Si и будут подвергнуты дальнейшему анализу. Анализ результатов позволяет сделать выводы о свойствах и структуре гибридных гетероструктур GaN/Si, а также оценить их потенциал для применений. Полученные результаты вносят вклад в развитие фундаментальных исследований в области полупроводниковых материалов и помогают улучшить понимание процессов, происходящих в гибридных структурах. В заключении приводятся основные результаты работы и делаются предположения о возможных направлениях дальнейших исследований в данной области. Показать еще