Контрольные работы на тему физические основы электроники

5 ВАРИАНТ. СДЕЛАТЬ НУЖНО ТОЛЬКО 1 ЗАДАЧУ . можно сделать в письменном виде, в ворде напечатаю сам .Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: удельным сопротивлением , подвижностью электронов и дырок ; собственной

Электроника.22 вариант.Первое задание посвящено построению статической передаточной характеристики электронных ключей на биполярных и МДП-транзисторах и расчету их основных параметров. Оно содержит две задачи, причем каждому студенту необходимо решить одну из них. Номера задач для каждого варианта

Дисциплина 'Физические основы электроники' изучается по учебному пособию: Ицкович В.М.'Электроника и микроэлектроника' - Томск,2000 - 246 с. По дисциплине "Физические основы электроники" в течение семестра необходимо выполнить следующие контрольные работы: НУЖНО ВЫПОЛНИТЬ: 3 текстовые контрольн

3.2_Биполярный транзистор n-p-n-структуры, включенный по схеме ОЭ, имеет параметры: сквозной тепловой ток I0= 9·10-14 A, коэффициент передачи тока базы β=80. Задано напряжение Uкэ=10 В. Рассчитать и построить на графике входную iб = f (Uбэ ) и управляющую iк = f(Uбэ) характеристики тра

Полупроводник находится под стационарным внешним воздействием, выражающемся в однородном облучении его светом. Скорость генерации электронов под действием света Gвн=1020 см-3/с. Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике τ = 10-7 с. Найти избыточную концентрацию электронов ∆n. Материал п

Определить интегральную чувствительность газонаполненного фотоэлемента ЦГ-1 для световых потоков Ф = 0,01 и 0,03 лм при напряжениях анода Uа : а) 100 В; б) 230 В. Вольт-амперные характеристики фотоэлемента изображены на рисунке 3. Рис.3 Вольт-амперные характеристики фотоэлемента ЦГ-1 Решение: Инт

Вариант 28

вариант 10