отличный специалист, грамотный профессионал своего дела
Информация о работе
Подробнее о работе
Применение радиационно технологических процессов для улучшения электрических параметров силовых кремниевых диодов ( полупроводник )
- 94 страниц
- 2015 год
- 328 просмотров
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Требования разработчиков силовой преобразовательной техники к параметрам используемых в схемах полупроводниковых приборов постоянно возрастают, особенно – в части повышения импульсно-частотных характеристик, снижения рассеиваемой мощности, повышения электропрочности и надежности.
Введение 7
1 Аналитический обзор литературы 8
1.1 Общие свойства и параметры силовых выпрямительных диодов 8
1.1.1 Непроводящее состояние силового диода 8
1.1.2 Вольт-амперная характеристика 10
1.1.3 Статические параметры 11
1.1.4 Динамические характеристики 12
1.1.4.1 Переходные процессы 13
1.1.5 Предельно допустимые значения 17
1.2 Радиационно-технологичекий процесс 18
1.2.1 Взаимодействие электронов с веществом 19
1.2.2 Механизмы образования и физическая природа радиационных центров 21
1.2.3 Изменение основных электрофизических параметров при облучении 23
1.2.3.1 Время жизни неосновных носителей заряда 24
1.2.3.2 Концентрация, удельное сопротивление и подвижность 25
1.3 Термостабильность и кинетика отжига радиационных центров 28
1.4 Влияние облучения на основные параметры диодов 32
2 Экспериментальная часть 39
2.1 Методика и оборудование радиационной обработки высокоэнергетическими электронами и термического отжига 39
2.2 Аппаратура для измерения статических параметров диодов 45
2.2.1 Измеритель характеристик полупроводниковых приборов Л2-56 45
2.2.2 Измеритель статических параметров мощных транзисторов и диодов Л2-69 47
2.2.3 Измеритель емкости диодных структур ИЕ – 95 49
2.2.4 Установка измерения времени восстановления обратного сопротивления 50
2.3 Характеристика объекта исследования 52
2.4 Экспериментальные результаты 53
2.5 Выводы по экспериментальной части 61
3 Безопасность жизнедеятельности 63
3.1 Идентификация опасных и вредных производственных факторов 63
3.2 Характеристика используемых веществ и материалов 66
3.2.1 Физические и химические характеристики 66
3.2.2 Характеристики токсичности 66
3.3 Санитарно-технические требования 67
3.3.1 Требования к планировке помещения 67
3.3.2 Требования к микроклимату помещения 67
3.3.3 Требования к освещению лаборатории 68
3.4 Требования безопасности при устройстве и эксплуатации коммуникаций 70
3.5 Разработка мер защиты от опасных и вредных производственных факторов 70
3.6 Безопасность жизнедеятельности в чрезвычайных ситуациях 71
3.7 Специальные разработки по обеспечению безопасности 73
3.7.1 Расчет защитного зануления 73
3.8 Выводы по разделу безопасности жизнедеятельности 76
4.1 Меры по охране окружающей среды 78
4.2 Выводы по разделу охрана окружающей среды 79
5 Экономическая часть 80
5.1 Технико-экономическое обоснование научно-исследовательской работы 80
5.2 Смета затрат на проведение исследований 81
5.2.1 Расчёт затрат на сырьё и материалы 81
5.2.2 Расчет затрат на оплату труда исполнителей 82
5.2.3 Расчёт энергетических затрат 84
5.2.4 Расчёт затрат на амортизацию оборудования 85
5.2.5 Расчет накладных расходов 87
5.2.6 Расчет суммарных затрат на выполнение НИР 87
5.3 Экономическая оценка результатов дипломной НИР 88
5.4 Выводы по экономической части 90
Выводы 91
Список использованных источников 92
В данной дипломной работе проведено экспериментальное исследование влияния облучения высокоэнергетическими электронами и термического отжига на электрические параметры силовых кремниевых диодов Д112-10-11.
В ходе эксперимента выявлены физические закономерности изменения времени восстановления обратного сопротивления, прямого падения напряжения, напряжения пробоя, барьерной емкости от потока высокоэнергетических электронов и последующего термического отжига, которые использованы при оптимизации режимов радиационно-технологического процесса (РТП) для получения силовых кремниевых диодов с принципиально новым сочетанием параметров.
Показана экономическая эффективность внедрения радиационно-технологического процесса в технологию изготовления кремниевых диодов Д112-10-11.
Дипломная работа изложена на 94 страницах, содержит 28 рисунков, 22 таблицы, список использованных источников из 33 наименований. Уровень оригинальности 80%
1. Диоды и тиристоры в преобразовательных установках / М. И. Абрамович, В. М. Бабайлов, В. Е. Либер и др. – М.: Энергоатомиздат, 1992.
2. Лебедев А. И. «Физика полупроводниковых приборов» / М.: Физматлит, 2008.
3. Валенко В.С. Полупроводниковые приборы и основы схемотехники электронных устройств / под ред. А.А. Ровдо./ М.: Додэка - ХХI, 2001.
4. Гельман, М.М. Дудкин, К.А. Преображенский «Преобразовательная техника» Учебное пособие. Издательский центр ЮУрГУ, 2009.
5. О. Г. Чебовский, Л. Г. Моисеев, Р. П. Недошивин справочник «Силовые полупроводниковые приборы». – М.: Энергоатомиздат, 1985.
6. В. И. Старосельский «Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники» учебное пособие, М.: Юрайт высшее образование, 2009.
7. В.Н. Брудный Радиационные эффекты в полупроводниках/ Вестник Томского государственного университета № 285, 2005.
9. Н. Н. Горюнов, Ю. Р. Носов «Полупроводниковые диоды: параметры, методы измерений». – М.: Сов. Радио, 1968.
8. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / В.М. Кулаков, Е.А. Ладыгин, В.И. Шаховцов и др.; Под ред. Е.А. Ладыгин. – М.: Сов. Радио, 1980.
10. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. «Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах». – М.: Наука и техника, 1978.
11. К И Таперо «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: курс лекций». – М.: МИСиС, 2011.
12. Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения В. С. Вавиловa, А. Р. Челядинский // Успехи физических наук. –, том 165, № 3, 1995.
13. Основы радиационной технологии микроэлектроники. Курс лекций. / Под ред. Е. А. Ладыгина. - М.: Изд МИСиС, 1994.
14. Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии / М.Д. Варенцов, Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. – № 5, 2010.
15. Б.А. Комаров Особенности отжига радиационных дефектов в кремниевых p-n-структурах: роль примесных атомов железа / Физика и техника полупроводников, том 38, № 9, 2004.
16. Э.Н. Вологдин, А.П. Лысенко «Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов. Учебное пособие». – М.: МГИЭМ, 2001.
17. ГОСТ 12.0.003-74. Система стандартов безопасности труда. Опасные и вредные производственные факторы. Классификация. – Переизд. Авг. 2004 с изм. 1. – М.: Изд-во стандартов, 2004.
18. СП 2.2.1.1312-03. Гигиенические требования к проектированию вновь строящихся и реконструируемых промышленных предприятий. – Госсанэпиднадзор Минздрава России. – М., 2003.
19. ГОСТ 12.1.005-88. Система стандартов безопасности труда. Общие санитарно-гигиенические требования к воздуху рабочей зоны. Классификация. – Переизд. Авг. 2004 с изм. 1. – М.: Изд-во стандартов, 2004.
20. СанПиН 2.2.2/2.4.1340-03. Гигиенические требования к персональным электронно-вычислительным машинам и организации работы. – Госсанэпиднадзор Минздрава России. – М., 2003.
21. СП 52.13330.2011. Естественное и искусственное освещение. – М.: Госстрой России, ГУП ЦПП, 2011.
22. Правила устройства электроустановок. – М.: Энергоатомиздат, 2009.
23. НПБ 105-03. Определение категорий помещений, зданий и наружных установок по взрывопожарной и пожарной опасности. – ВНИИПО МВД РФ. – М., 2003.
24. СП 12.13130.2009. Определение категорий помещений, зданий и наружных установок по взрывопожарной и пожарной опасности. – М.: ФГУ ВНИИПО МЧС России, 2009.
25. СП 2.13130.2009. Пожарная безопасность зданий и сооружений. – М.: Стройиздат, 2009.
26. ГОСТ Р 50948-2001. Средства отображения информации индивидуального пользования. Общие эргономические требования и требования безопасности. – М.: ИПК Издательство стандартов, 2002.
27. ГОСТ Р 50949-2001. Средства отображения информации индивидуального пользования. Методы измерения и оценки эргономических параметров и параметров безопасности. – М.: ИПК Издательство стандартов, 2001.
28. СанПиН 2.2.2/2.4.1340-03. Гигиенические требования к персональным электронно-вычислительным машинам и организации работы. – Госсанэпиднадзор Минздрава России. – М., 2003.
29. Федоров Л. А., Голубцов В. В., Люкманов В. Б. Экономика и организация производства.Учебное пособие для дипломных работ. – М.: Изд. МИСИС, 1998.
30. Федоров Л. А., Вихрова Н. О. Экономические и организационные вопросы в дипломных работах. Учебно – методическое пособие. – М.: МИСиС, Учёба 2006.
31. Стуколов П. М., Лапшин Г. М., Якута К. И. Экономика электронной промышленности. Учебное пособие для ВУЗов. – М.: Высшая школа, 1993.
32. Определение экономической эффективности научно-исследовательских и опытно- конструкторских работ. – М.: ГИРедМет, 1996.
33. Юзов О.В., Седых А.М., Щепилов Ф.И. Разработка экономических и организационных вопросов при курсовом и дипломном проектировании. – М.: Изд. МИСИС, 2004.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
