Спасибо большое автору! Работа выполнена очень большая и раньше срока! Всё четко! Автора советую
Информация о работе
Подробнее о работе
распределение неосновных носителей заряда в базе диода при прямом смещении
- 18 страниц
- 2016 год
- 100 просмотров
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Полупроводниковые диоды широко используются в современных устройствах, благодаря таким своим достоинствам ка небольшие габаритные размеры и масса, высокий коэффициент полезного действия, высокая надежность.
На сегодняшний день существуют различные типы полупроводниковых диодов: выпрямительные, стабилитроны, низкочастотные и высокочастотные диоды, импульсные диоды, варикапы, туннельные диоды, светодиоды и фотодиоды. В каждом конкретном случае есть особенности включения того или иного диода в электрическую схему.
Следует отметить, что диоды могут работать в двух режимах, при прямом и обратном смещении. В данной работе рассмотрены особенности распределения неосновных носителей заряда в базе диода при прямом смещении.
Введение 3
1 Электрофизические свойства полупроводников 3
2 Конструкция и принцип работы диода 7
3 Влияние распределения неосновных носителей заряда в базе диода при прямом смещении на его характеристики 10
4 Расчет распределения неосновных носителей в базе диода 13
Заключение 16
Список литературы 17
В данной курсовой работе были рассмотрены электрофизические свойства полупроводников, конструкция и принцип работы диода, а также проанализировано влияние распределения неосновных носителей заряда в базе диода при прямом смещении на его характеристики.
Из изученного в ходе работы над данной темой материала можно сделать вывод, что при прямом смещении высота потенциального барьера на p-n-переходе уменьшается пропорционально приложенному к диоду напряжению, за счет чего происходит инжекция неосновных носителей заряда в базу диода.
В работе проанализированы факторы, влияющие на вид вольтамперной характеристики диода при его прямом включении, а также показаны процессы, происходящие в p-n-переходе при прямом смещении.
1. Афанасьева Н.А., Булат Л.П. Электротехника и электроника: учеб. пособие. – СПб.: СПбГУНиПТ, 2010. – 181 с.
2. Величко Д.В. Полупроводниковые приборы и устройства: Учеб. пособие / Д.В. Величко, В.Г. Рубанов. – Белгород: Изд-во БГТУ им. В.Г. Шухова, 2006. – 184 с.
3. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники. – К.: Вища шк., 1987. – 422 с.
4. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие. – Москва, 2005. – 492 с.
5. Игумнов Д.В. Полупроводниковые устройства непрерывного действия / Д.В. Игумнов, Г.П. Костюнина. – М.: Радио и связь, 1990. – 256 с.
6. Легостаев Н.С., Четвергов К.В. Твердотельная электроника: учеб. пособие. – Томск, 2011. – 244 с.
7. Нестеренко Б.А., Ляпин В.Г. Фазовые переходы на свободных гранях и межфазных границах в полупроводниках. – К.: Наук. думка, 1990. – 152 с.
8. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. – СПб.: Изд-во «Лань», 2002. – 480 с.
9. Самедов М.Н., Шибанов В.М., Шурыгин В.Ю. Общая электротехника и электроника / Учеб. пособие. – Елабуга: изд-во ЕИ КФУ, 2015. – 112 с.
10. Харланов А.В. Физика. Электродинамика, оптика, атомная и ядерная физика: учеб. пособие. – Волгоград, 2015. – 160 с.
11. Алиев К.М., Камилов И.К., Ибрагимов Х.О., Абакарова Н.С. Проводимость полупроводниковых диодов при одновременном воздействии на них постоянного и переменного напряжений // Вестник Дагестанского научного центра РАН. – 2010. - № 39. – С. 5-8.
12. Васильев В.А., Пиганов М.Н., Зайцев В.Ю. Контроль качества полупроводниковых диодов по напряжению шума // В сборнике: Актуальные проблемы радиоэлектроники. Сер. «Вестник СГАУ» Самара. – 1999. – С. 63-65.
13. Гаман В.И. Электронные процессы в полупроводниковых диодах и структурах металл-диэлектрик-полупроводник // Вестник Томского государственного университета. – 2005. - № 285. – С. 112-120.
14. Иванов А.М.. Строкан Н.Б., Шуман В.Б. Перенос носителей заряда в базе диода с локальной неоднородностью рекомбинационных свойств // Письма в Журнал технической физики. – 1997. – Т. 23. - № 9. – С. 79-86.
15. Козлова И.Н., Тюлевин С.В., Токарева А.В. Методика прогнозирования показателей качества полупроводниковых диодов // Вестник Самарского государственного аэрокосмического университета им. С.П. Королева. – 2011. - № 7 (31). – С. 87-91.
16. Кутузова Е.В., Бондина В.П. Исследование основных характеристика фоточувствительных полупроводниковых элементов // В сборнике: Университетское образование: культура и наука. Материалы Международного молодежного научного форума. – 2012. – С. 161-167.
17. Пилипец И.В. Конструктивно-технологические методы увеличения пробивного напряжения диодов // Электронные средства и системы управления. – 2015. - № 1-1. – С. 112-115.
18. Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами / Учеб. пособие. – М.: ДМК Пресс, 2006. – 288 с.
19. Селяков А.Ю. К теории флуктуационных явлений в p-n-переходах с короткой базой на основе узкозонных полупроводников // Прикладная физика. – 2010. - № 2. – С. 55-66.
20. Таубкин И.И. О фотоиндуцированных и тепловых шумах в полупроводниковых диодах // Прикладная физика. – 2007. № 4. – С. 85-90.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
