Спасибо.
Информация о работе
Подробнее о работе
Механизм порообразования в полупроводниках
- 4 страниц
- 2022 год
- 0 просмотров
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
За более чем полувековую историю исследований электрохимического анодного травления полупроводников в режиме порообразования не раз были предприняты попытки объяснения процессов, приводящих к зарождению механизма и прорастанию в кристаллы массивов пор. Однако до сих пор среди ученых нет единого представления о химических и электрофизических механизмах, обеспечивающих порообразование.
Все процессы порообразования в полупроводниках, независимо от исходных условий (состав электролита, состав состава и уровеньуровеня легирования исходных кристаллов), объединяются общими признаками, такими как:
а) спонтанная локализация химического процесса в дискретных, однородно распределенных областях межфазной границы, включающих как минимум сотни атомов решетки травящегося кристалла;
б) эффективная валентность атомов кристалла, определяемая по соотношению их количества, переходящего в раствор в единицу времени, к величине анодного тока, не достигает своего группового значения. Для кремния, в частности, она близка к 2 в условиях выделения водорода из области протекания анодной реакции.
Отсутствие адекватных теоретических представлений тормозит развитие прикладных исследований, т.к. направления поиска остаются неопределенными. В ряде статей предложены физические модели, объясняющие отдельные аспекты процессов порообразования. Обычно модели порообразования строятся, исходя из представлений о неустойчивости к малым периодическим возмущениям планарной границы раздела кристалл − электролит в условиях электрохимического травления [21] и локализации анодного тока на вогнутой поверхности дна прорастающих пор вследствие туннельного переноса или лавинного пробоя слоя объемного заряда в полупроводнике или диэлектрическом слое оксидной фазы на его поверхности [31].
Доклад на тему: «Механизм порообразования в полупроводниках»
Предмет: Физика
Оригинальность на Антиплагиат.РУ (модуль - Интернет): 50%
1. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников. – М.: Лань, 2021. – 624 c.
5. Грундман М. Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения. – М.: Физматлит, 2012. – 772 c.
6. Данлэп У. Введение в физику полупроводников. – М.: Издательство иностранной литературы, 2018. – 430 c.
7. Иоффе А.Ф. Избранные труды (том 2). Излучение, электроны, полупроводники. – М.: [не указано], 2020. – 425 c.
8. Кольцов Г.И., Диденко С.И., Орлова М.Н. Физика полупроводниковых приборов: Расчет параметров биполярных приборов: Сборник задач: № 1893. – М.: МИСиС, 2012. – 78 c.
12. Легирование полупроводников ионным внедрением. – М.: Мир, 2018. – 532 c.
13. Лоренц Х.А. Курс физики. В 2 т. – М.: Ленанд, 2016. – 824 c.
17. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. СПб.: Лань. – 2006. – 479 с.
19. Слэтер Дж. Диэлектрики. Полупроводники. Металлы. – М.: Мир, 2020. – 648 c.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
