Спасибо большое автору! Работа выполнена очень большая и раньше срока! Всё четко! Автора советую
Информация о работе
Подробнее о работе
Поведение глубоких уровней в полупроводниках
- 32 страниц
- 2013 год
- 579 просмотров
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Поведение глубоких уровней в полупроводниках
Введение.
1.1.Полупроводники. Дефекты в полупроводниках.
2.2. Классификация полупроводников.
1.3. Полупроводниковые материалы.
Глава 1. Глубокие уровни в соединениях типа A3B5.
1.1. Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность.
1.2. Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами (~ 2МэВ): энергетическая структура собственных точечных дефектов.
1.3. Кинетика и неоднородная инжекция носителей в нанослоях InGaN.
Глава 2. Глубокие уровни в соединениях типа A2B6.
2.1. Глубокие уровни, имеющие донорную природу. Определение концентрации глубоких уровней в полуизолирующих монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии.
2.2. Компенсация доноров в обедненном слое кристаллов CdF2 с барьером Шоттки.
2.3. Глубокие акцепторные уровни. Исследование глубоких уровней в CdHgTe методом туннельного тока фотодиодов. Легирование эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе HgCdTe.
2.4. Резонансный уровень галлия в сплавах Pb, vSnvTe под давлением.
Глава 3. Методы создания Глубоких уровней в п\п.
3.1. Радиационное модифицирование и радиационное дефектообразование в слоях n- и p-типов карбида кремния, выращенных методом сублимационной эпитаксии.
Литература.
Абдуллаев А.А., Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7,796.
[2] Ashour H., F. El Akkad. Phys. Status Solidi A, 184 (1), 175 (2001).
[3] Брудный В.Н. и др., Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4, стр. 409.
[4] Гривулин В.И. др., Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 7, стр 806.
[5] Емцев К.В., XXXVI Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2006) Москва МГУ, http://danp.sinp.msu.ru/pci2006/1_utro2.pdf
[6] Карпович И.А. и др., Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3, стр. 319.
[7] Кузнецов В.П. и др. , Физика и техника полупроводников, 19, 735 (1985).
[8] Martin G.M., D. Bois. In: Semiconductor Characterization Techniques, ed. by P.A. Barnes, GA. Rozgonyi, PV 78-3, p. 32 (The Electrochemical Society, Inc., Princeton, NJ, 1978).
[9] Мир-Гасан Ю. Сеидов и др., Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7, стр. 1270.
[10] Мынбаев К.Д., В.И. Иванов-Омский, Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1,стр. 3.
[11] Одринский А. П. ,Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6, стр. 660.
[12] Савицкий А.В. и др., Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7, стр. 788.
[13] Сизов Д.С. и др., Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2, стр. 264.
[14] Скипетров Е.П. и др.,Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2, стр. 149.
[15] Туринов В.И., Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9, стр. 1129.
[16] Тырышкин И. С. Основы полупроводниковой электроники, учебное пособие, 2004, Новосибирск.
[17] Hurter Ch., M. Boilou, A. Mitonneau, D. Bois. Appl. Phys.Lett, 32, 821 (1978).
[18] Шалимова К.В., Физика полупроводников, М.: Энергоатомиздат, 1985.
[19] Шейнкман М.К. и др., Н, Физика и техника полупроводников, 14, 438 (1980).
[20] Щеулин А.С. и др., Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1, стр. 72.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
