=)
Информация о работе
Подробнее о работе
Технологии и особенности производства интегральных микросхем. Технология "Кремний на изоляторе" и ее разновидности
- 20 страниц
- 2016 год
- 50 просмотров
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Введение 2
1.Технологии и особенности производства интегральных микросхем 3
2. Технология "Кремний на изоляторе" и ее разновидности 6
3. Технология КНС в Российской Федерации 18
Заключение 18
Список литературы 19
2. Технология "Кремний на изоляторе" и ее разновидности
Если линейные размеры элементов СБИС уменьшить то возрастают паразитные емкости между изолирующими p–n–переходами стока и истока и подложкой, а также сопротивление этих подводящих проводников и электродов.
При этом всем огромная часть потребляемой КМОП–структурами мощности расходуется на заряд приведенных емкостей в период переключения транзистора из одного состояния в другое, а время, за которое этот заряд происходит, выявляет общее быстродействие схемы.
Для увеличения этого быстродействия в исследовательском подразделении IBM (IBM Research Division) еще в 1989 году было предложено разместить между монокристаллической кремниевой подложкой и поверхностным приборным слоем кремния слой изолятора, который должен резко паразитную емкость уменьшить и увеличить быстродействие ИС.
Рисунок 1 - Схема структуры МОП–транзисторов, созданных на объемном кремнии (а) и по технологии КНИ (б).
...
3. Технология КНС в Российской Федерации
В Российской Федерации выпуском и разработкой электронных изделий на основе КНС делают несколько производителей. Среди наиболее значительной из них группа компаний "Ангстрем," которая выпускает по технологии КМОП + «кремний на сапфире» радиационно–стойкую электронно–компонентную базу (ЭКБ), в основном, по заказам Министерства обороны и Роскосмоса. Первое время применялась топологическая норма 800 нм и пластины сапфира диаметром 150 мм, однако недавно сравнительно решилось о подготовке к запуску новой линии проектной мощностью 4000 пластин в месяц с топологическим размером 350–250 нм на пластинах диаметром 200 миллиметров. По оценкам экспертов, объем российского востребованного рынка радиационно-стойкой ЭКБ рассчитывается 1,5–2 миллиарда рублей, из которых на долю «Ангстрема» накладывается около 70 %.
...
Заключение
Наши исследования показали, что перспективными есть структуры "кремний-на-изоляторе" (КНИ), которые благодаря высококачественной диэлектрической изоляции имеют высокое быстродействие, а благодаря высокой теплопроводимости подкладки (например, сапфировой) выдерживают высокие рабочие температуры. По аналогии с созданием заказных ИС на основе базовых матричных кристаллов (БМК) перспективным кажется создание по аналогичной методологии также и МЕМСов, но на специализированных для микроэлектромеханических использований БМК.
Анализ имеющейся информации показывает, что сегодня такие микро электромеханические специализированные БМК со структурой КНИ на рынке фактически отсутствуют. Существующие технологии формирования пластин со структурой КНИ за известными методами SIMOX, ELTRAN, BESOI, Smart Cut, ZMR является дорогими и сложными, что существенно сдерживает их широкое использование.
...
1. Коледов, Я. А. Конструктированные и технология микросхем. Курсовое проектирование [Текст]: учеб. пос. для вузов / Я. А. Коледив, В. А. Волков, Н. К. Докучаев; под ред. П. А. Коледова. – М.: Высшая школа, 2012 – 231 с.
2. Чистяков, Ю. Д. Технология СБИС [Текст]: в 2-х кн. / под ред. С. Зи; пер. с англ. Ю. Д. Чистякова. – М.: Мир, 2016. – Кн. 2. – 455 с.
3. Айнспрук, Н. У. Арсенид галлия в микроелектронике [Текст] / У.Уиссмен, У. Френсли, У. Дункан и др.; под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена; пер. с англ. под. ред. В. Н. Мордковича. – М: Мир, 2015. – 554 с.
4. Ди Лоренцо А. В. Полевие транзисторы на арсениде галлия. Принципы работи и технология изготовления [Текст] / под ред. А. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола; пер с англ. под ред. Г. В. Петрова. – М.: Радио и связь, 2014. – 489 с.
5. Ватанаба Н. Проектирование СБИС [Текст] / Н. Ватанаба, К. Асада, К. Кани, Т. Оцуки; пер с англ. под ред. Л. В. Поспелова. – М.: Мир, 1988. – 304 с.
6. Березин А. С. Технология конструирования ИС [Текст] / А. С. Березин, О. Р. Могалкин. – М.: Дис. – 2012. – 254 с.
7. Алексеенко А. Г. Основы микросхемотехники [Текст] / А. Г. Алексеенко. – М.: Лаб. баз знаний. – 2012. – 286 c.
8. Павлов В. М. Схемотехника аналогових схем [Текст] / В. М. Павлов, В. М. Ночин. – М.:Гор.мик-техника. – 2011. – 320 с.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
