=)
Информация о работе
Подробнее о работе
Обзор по отечественным полевым транзисторам с барьером Шотки
- 12 страниц
- 2017 год
- 36 просмотров
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Полевой транзистор — это полупроводниковый прибор, в котором ток через канал управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком.
Канал — это область полупроводникового кристалла, в которой поток носителей заряда только одного знака (основных носителей) регулируется изменением её поперечного сечения напряжением управляющего электрода.
Введение……………………………………………………………………….3
1. Обзор по отечественным полевым транзисторам с барьером Шотки….4
2. Новые полевые транзисторы с барьером Шотки………………………...8
Заключение……………………………………………………………………11
Список литературы………………………………………………………...…12
Введение……………………………………………………………………….3
1. Обзор по отечественным полевым транзисторам с барьером Шотки….4
2. Новые полевые транзисторы с барьером Шотки………………………...8
Заключение……………………………………………………………………11
Список литературы………………………………………………………...…12
1. Дьяконов В.П., Максимчук А.А., Ремнев А.М., Смердов В.Ю. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах/ Дьяконов В. П., Максимчук А.А, Ремнев А.М., Смердов В.Ю. – М.: СОЛОН-ПРЕСС.- 2010.512 с., ил.
2. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принцип работы и технология изготовления [Текст]: под ред. Д.В. ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола. – М.: Радио и связь, 1988. – 496 с.
3. Влияние сверхширокополосной помехи с высокой пиковой мощностью на функционирование малошумящих GaAs ПТШ [Текст] / А. М. Бобрешов [и др.] // Радиотехника. - 2013. - № 4. - С. 54-57 .
4. Современные приборы на основе арсенида галлия [Текст]/ Шур М.: под ред. М.Е. Левинштейна и В.Е. Челнокова. – М.: Мир, 1991.– 632 с.
5. Арсенид галлия в микроэлектронике [Текст]: под ред. Н. Айнепрука и У. Уиссмена. – М.: Мир, 1988. – 555 с.
6. Бочаров, Л.Н. Полевые транзисторы [Текст]: монография / Л.Н. Бочаров – М.: Энергия, 1976. –77 с.
7. Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 36-39.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
