Выполнена в срок! Без нареканий!
Информация о работе
Подробнее о работе
Ионное легирование (ионная имплантация) как метод изменения свойств исходного кристалла полупроводника
- 21 страниц
- 2021 год
- 6 просмотров
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Актуальность. Твердотельная электроника на сегодняшний день является одной из наиболее бурно развивающихся отраслей современной промышленности. На каждом новом этапе развития технологии производства интегральных микросхем (ИМС) создаются и модифицируются методы изготовления структур ИМС, отражающие ...............
Целью данной работы является рассмотрение ионное легирования как метода изменения свойств исходного кристалла полупроводника.
Задачи работы:
1) ознакомиться с понятием процесса ионного легирования (имплантации);
2) рассмотреть области применения технологии и рыночную сегментацию;
3) изучить требования к процессу.
Введение 2
1.Ионная имплантация 4
2.Применения технологии имплантации 9
3.Рыночная сегментация 12
4.Требования к процессу 14
Заключение 19
Список использованных источников 20
Работа написана по ГОСТ, шрифт 14, интервал 1,5, выравнивание по ширине, Times new roman, работа написана мной самостоятельно
Данилова, Т.И. Технология кремниевой наноэлектроники / Т.И. Данилова, В.А. Кагадей, Е.В. Анищенко. – Томск.: В-Спектр, 2011. – 264, [99-102] с.
2. Кулыгин Д.А. Ионная имплантация // Инновационная наука. 2017. №1-2.
3. Риссел, Х. Ионная имплантация / Х. Риссел, И. Руге. – М.: Наука, 1983. – 358, [23, 30-35] с.
..............
всего 7
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
