Реферат выполнен в срок, оригинальность высокая и не техническая. Спасибо!
Подробнее о работе
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
На пороге нового тысячелетия ключевым фактором разработки и производства микропроцессорных и нейроУБИС становится синтез технологии и экономики (техноэкономика) [1–3]. Причем понятие “техноэкономика” можно трактовать не только как влияние прорывных технологий на экономику, но и как влияние экономических факторов на развитие технологии. В этой связи, как никогда ранее, приобретают значение конкурентоспособность технологий, приборно-схемотехнических базисов и архитектур УБИС, а также эффективность производства и НИОКР. Оригинальные, нестандартные решения могут открыть новые пути развития электроники, привести к неожиданным, качественно новым результатам.
Эволюция от микро- к наноэлектронике: технология и экономика
В обозримой перспективе (до 2020 года) лидирующую роль в качестве основного полупроводникового материала сохранит кремний (и кремниевые технологии). Это обусловлено главным образом экономическими причинами. Большинство современных микропроцессорных и нейроУБИС реализованы в КМОП-базисе, поскольку он обеспечивает минимальное статическое энергопотребление и очень малое потребление на низких и средних рабочих частотах, а также высокую плотность упаковки элементов и простоту технологической реализации.
Введение 2
1.Особенности технологий кремниевой микро и наноэлектроники 3
2. Развитие технологий кремниевой микро и наноэлектроники 6
Заключение 19
Список литературы 20
На базе ВСМОП весьма эффективны оптоэлектронные совмещенные МОП-транзисторы (ОСМОП), использующие один и тот же канал для переноса носителей разных знаков, генерируемых оптическим излучением. Это крайне важно для систем с оптическим питанием и в устройствах с оптоэлектронной обработкой информации. Оптическое питание предоставляет дополнительную степень свободы в построении интеллектуальных вычислительных систем, где естественные световые источники позволяют устранить зависимость от дополнительной аппаратуры, что существенно, например, в условиях космоса.
В рамках гибких мини-производств реально изготовить на 100-долларовой необработанной пластине либо на “обработанной” 1000-долларовой пластине до 300 систем на кристалле, каждая из которых стоит от 100 до 1000 долл. Минимальная прибыль при этом – (200-1)x(100...1000) долл. С учетом того, что производительность мини-фаба – до тысячи пластин в месяц, месячная прибыль составит десятки миллионов, а годовая – несколько сотен миллионов долларов. Техноэкономический прорыв в изготовлении перспективных ВСМОП (ОСМОП) УБИС и СП на гибких оперативных мини- и спейсфабах ближайшей и отдалённой преспективы может затмить самые оптимистические прогнозы в микро- и наноэлектронике.
1. Бубенников А.Н., Бубенников А.А. Техноэкономика в производстве наукоёмких продуктов микроэлектроники. – Электроника: НТБ, 1997, № 6.
2. Бубенников А.Н., Бубенников А.А. Микроэлектроника мобильной эры и финансовые кризисы. – Электроника, 1998, № 3–4.
3. Ракитин В.В., Филиппов Е.И. Субмикронные элементы на совмещённых МОП-транзисторах. – Микроэлектроника, 1997, т. 26, № 4.
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
На пороге нового тысячелетия ключевым фактором разработки и производства микропроцессорных и нейроУБИС становится синтез технологии и экономики (техноэкономика) [1–3]. Причем понятие “техноэкономика” можно трактовать не только как влияние прорывных технологий на экономику, но и как влияние экономических факторов на развитие технологии. В этой связи, как никогда ранее, приобретают значение конкурентоспособность технологий, приборно-схемотехнических базисов и архитектур УБИС, а также эффективность производства и НИОКР. Оригинальные, нестандартные решения могут открыть новые пути развития электроники, привести к неожиданным, качественно новым результатам.
Эволюция от микро- к наноэлектронике: технология и экономика
В обозримой перспективе (до 2020 года) лидирующую роль в качестве основного полупроводникового материала сохранит кремний (и кремниевые технологии). Это обусловлено главным образом экономическими причинами. Большинство современных микропроцессорных и нейроУБИС реализованы в КМОП-базисе, поскольку он обеспечивает минимальное статическое энергопотребление и очень малое потребление на низких и средних рабочих частотах, а также высокую плотность упаковки элементов и простоту технологической реализации.
Введение 2
1.Особенности технологий кремниевой микро и наноэлектроники 3
2. Развитие технологий кремниевой микро и наноэлектроники 6
Заключение 19
Список литературы 20
На базе ВСМОП весьма эффективны оптоэлектронные совмещенные МОП-транзисторы (ОСМОП), использующие один и тот же канал для переноса носителей разных знаков, генерируемых оптическим излучением. Это крайне важно для систем с оптическим питанием и в устройствах с оптоэлектронной обработкой информации. Оптическое питание предоставляет дополнительную степень свободы в построении интеллектуальных вычислительных систем, где естественные световые источники позволяют устранить зависимость от дополнительной аппаратуры, что существенно, например, в условиях космоса.
В рамках гибких мини-производств реально изготовить на 100-долларовой необработанной пластине либо на “обработанной” 1000-долларовой пластине до 300 систем на кристалле, каждая из которых стоит от 100 до 1000 долл. Минимальная прибыль при этом – (200-1)x(100...1000) долл. С учетом того, что производительность мини-фаба – до тысячи пластин в месяц, месячная прибыль составит десятки миллионов, а годовая – несколько сотен миллионов долларов. Техноэкономический прорыв в изготовлении перспективных ВСМОП (ОСМОП) УБИС и СП на гибких оперативных мини- и спейсфабах ближайшей и отдалённой преспективы может затмить самые оптимистические прогнозы в микро- и наноэлектронике.
1. Бубенников А.Н., Бубенников А.А. Техноэкономика в производстве наукоёмких продуктов микроэлектроники. – Электроника: НТБ, 1997, № 6.
2. Бубенников А.Н., Бубенников А.А. Микроэлектроника мобильной эры и финансовые кризисы. – Электроника, 1998, № 3–4.
3. Ракитин В.В., Филиппов Е.И. Субмикронные элементы на совмещённых МОП-транзисторах. – Микроэлектроника, 1997, т. 26, № 4.
| Купить эту работу vs Заказать новую | ||
|---|---|---|
| 0 раз | Куплено | Выполняется индивидуально |
|
Не менее 40%
Исполнитель, загружая работу в «Банк готовых работ» подтверждает, что
уровень оригинальности
работы составляет не менее 40%
|
Уникальность | Выполняется индивидуально |
| Сразу в личном кабинете | Доступность | Срок 1—4 дня |
| 224 ₽ | Цена | от 200 ₽ |
Не подошла эта работа?
В нашей базе 84308 Рефератов — поможем найти подходящую