Благодарю за реферат по физике, качественно и в срок)
Информация о работе
Подробнее о работе
резонансное туннелирование
- 21 страниц
- 2014 год
- 217 просмотров
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Введение………………………………………………………………….3
1. Резонансный туннельный эффект…………………………….8
2. Резонансно туннельный диод……………………………….14
Резонансный туннельный эффект
В гетеропереходах и квантовых ямах отклик электронов на приложенное электрическое поле, направленное параллельно поверхности раздела, соответствует очень высокой подвижности. Рассмотрим отклик электронов на электрические поля, направленные перпендикулярно потенциальным барьерам на поверхностях раздела. В этом случае электроны могут, при соблюдении определенных условий, просто туннелировать через потенциальные барьеры, осуществляя так называемый перпендикулярный транспорт. Туннельные токи через гетеропереходы могут приводить к формированию областей с отрицательным дифференциальным сопротивлением (NDR) на вольт-амперной характеристике, для которых величина протекающего тока уменьшается с ростом прикладываемого напряжения. Этот эффект впервые был обнаружен Лео Эсаки еще в 1957 г. при изучении туннельных диодов с р-п переходами. В 1970 г.
...
Наноустройства, наноэлектроника, наносенсоры
История устройств с туннельными переходами разного типа (в том числе резонансными) насчитывает почти три десятилетия, однако лишь после 1997 г. стала рассматриваться возможность их применения в качестве функциональных элементов электронных схем. В технологии изготовления таких квантовых устройств особое значение имело внедрение методов эпитаксиального роста кристаллов и контроля над этими процессами в наномасштабе, что привело к организации их промышленного производства с гибкими технологическими схемами и высокой воспроизводимостью. Диод с резонансным туннелированием содержит области эмиттера и коллектора, а также барьер двойного туннелирования (рис. 1). Квантовая яма является настолько узкой (5—10 нм), что в ней может содержаться только один, так называемый «резонансный» энергетический уровень.
Рис.6. Характеристики устройства с резонансным туннелированием.
...
Список используемой литературы
1. Дж. Мартинес-Дуарт, Р.Дж. Мартин-Палма, Ф. Агулло-Руеда «Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники».
2. А. А. Соколов, И. М. Тернов “Квантовая механика и атомная физика”. Учебн. пособие для физ.-мат. фак-тов пединститутов. М.: Просвещение, 423 с. с илл., 1970.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
