Благодарю за реферат по физике, качественно и в срок)
Информация о работе
Подробнее о работе
термоэлектрические свойства,термоэдс,теплопроводность
- 24 страниц
- 2015 год
- 94 просмотра
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
ВВЕДЕНИЕ
В современной электронике на основе полупроводников производят активные элементы. То есть те, которые способны менять свои электрические характеристики в зависимости от подаваемого на них напряжения. Скажем, тот же транзистор является активным элементом, поскольку его значение внутреннего сопротивления будет меняться в зависимости от разных условий в электронной цепи. А вот, например обычный резистор относиться к категориипассивных элементов, так как его сопротивление будет всегда одинаковым. К пассивным электронным компонентам относятся также конденсаторы и катушки. Их создают из других материалов.
Фундаментальными активными элементами являются транзисторы и диоды. Другие полупроводниковые приборы, такие как варикапы, тиристоры и симисторы - это модификации и тех же транзисторов и диодов. Приборы с одним элементом называются дискретными. Соединив множество полупроводниковых элементов на одном кристалле, получают интегральную схему. Например, процессор и память компьютера являются интегральными схемами, состоящими из сотен миллионов транзисторов.
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 3
1. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА 4
1.1. Физические процессы при контакте полупроводников п- и р-типа 4
1. 2. Выпрямляющие свойства р-п перехода 6
1.3. Принцип работы полупроводникового транзистора 8
1.4. Эффект Холла 10
2. ТЕРМО-ЭДС 13
2.1. Внешняя и внутренняя разница потенциалов 13
2.2. Законы А. Вольты 15
2.3. Измерение внешней контактной разницы потенциалов 16
2.4. Термоэлектрические явления для металлов 17
3. ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ 18
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 22
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 24
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Уровень развития современной полупроводниковой электроники тесно связан с достижениями в технологии полупроводниковых материалов. История технологии полупроводникового кремния характеризуется непрерывным стремлением к совершенству. Это вызвано тем, что совершенство кристаллов, однородность свойств по объему не только влияет на рабочие характеристики приборов и микросхем, но и определяет эффективность их производства. С увеличением степени интеграции свойства отдельного элемента все более определяются локальными свойствами кристаллической подложки. Кремний является основным материалом для изготовления интегральных схем высокой эффективности. Возможность совершенствования полупроводниковых приборов заложена в повышении качества подложек, характеристики которых находятся в прямой зависимости от свойств монокристаллов и изготавливаемых из них пластин. Задача получения монокристаллов с равномерным распределением электрических свойств, пониженным содержанием остаточных фоновых примесей и структурных дефектов весьма актуальна. Таким образом, один из главных путей улучшения качества изделия полупроводниковой микроэлектроники - это улучшение качества исходных кристаллов кремния. Термостабильность свойств кристаллов кремния относится к основным параметрам качества полупроводникового материала. Именно термостабильность свойств кристаллов кремния определяет устойчивость к деградации параметров микроэлектронных приборов при повышенных температурах и расширяет области их применения. Термостабильность кристаллов кремния имеет также существенное значение при изготовлении микроэлектронных приборов, поскольку в технологических процессах кристалл подвергается воздействию высоких температур, которые часто необратимо ухудшают свойства исходных кристаллов.
Дестабилизирующими факторами также являются напряженные состояния решетки кремния, возникающие при термической и механической обработке кристаллов или же при создании многослойных полупроводниковых структур. Имеются и другие дестабилизирующие факторы, например, радиационное облучение. Актуальность проблемы обусловлена, с одной стороны, улучшением термостабильности кристаллов кремния, а с другой - необходимостью создания полупроводниковых приборов на основе кремния со стабильными параметрами.
Возможности экстенсивного развития технологии кремния в настоящее время уже исчерпаны. Поэтому различные исследования, приводящие к дальнейшему совершенствованию технологии монокристаллов нужны, интересны и перспективны.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. С.С.Горелик, М.Я Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков, Москва МИСИС 2003. С. 479.
2. Савельев И.В. Курс общей физики. – т.2. – М.: Наука, 1987-88 §§ 79.
3. Савельев И.В. Курс общей физики. – т.3. – М.: Наука, 1987-88 §§ 64, 65.
4. Бушманов Б.Н., Хромов Ю.А. Физика твердого тела. – М.: Наука, 1987-88, Гл. 5 §§ 5, 11.17.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
