Благодарю за реферат по физике, качественно и в срок)
Информация о работе
Подробнее о работе
Бинарные проводники AIIIBV : GaAs
- 19 страниц
- 2016 год
- 147 просмотров
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Введение
Мировая электроника, как инструмент энергетики, развивается по трём основным направлениям: температура, скорость и мощность.
Возможности полупроводников далеко не исчерпаны, хотя исследования ведутся широким фронтом.
Требования к рабочей температуре серийных электронных компонентов постоянно растет. Ожидается, что в 2018–2020 гг. рабочая температура достигнет значений до 600С на AIIIBV,а частотный диапазон в полупроводниковой электронике в текущем десятилетии резко расширится до миллиарда терагерц.
Уже созданы экспериментальные образцы лазерных излучателей на основе AIIIBV с фантастическими значениями генерации импульсной мощности до 1023 Вт/см2 (за 10–14 с, да ещё в придачу с миллионами атмосфер давления).
Одним из перспективных материалов в этих направлениях является арсенид галлия (GaAs).
Оглавление
Введение 3
1.Бинарные полупроводники АIIIВV 4
2. Свойства GaAs 5
3.Примеси в полупроводниках GaAs 11
4. Получение и маркировка 15
5.Применение 17
Заключение 18
Список использованной литературы 19
Заключение
Полупроводник GaAs является третьим по масштабам использования в промышленности после кремния и германия.
Некоторые свойства GaAs превосходят свойства кремния. Например, арсенид галлия обладает более высокой подвижностью электронов, которая позволяет приборам работать на частотах до 250 ГГц. Приборы на основе GaAs генерируют меньше шума, чем кремниевые приборы на той же частоте. Из-за более высокой напряженности электрического поля пробоя приборы из арсенида галлия могут работать при большей мощности по сравнению с Si. Эти свойства делают GaAs широко используемым в полупроводниковых лазерах, некоторых радарных системах. Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия имеют более высокую радиационную стойкость, чем кремниевые, что обусловливает их использование в условиях радиационного излучения (например, в солнечных батареях, работающих в космосе).
Хотя изготовление полупроводников на основе GaAsимееет свои трудности, этот материал является очень перспективным и обладает большими возможностями.
Список использованной литературы
1. И. А. Случинская, Основы материаловедения и технологии полупроводников, Москва — 2002
2. Рябцев Н. Г. Материалы квантовой электроники. М. «Советское радио», 1972, 384 с.
3. “Материалы Электронной Техники" В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. 1986 г.
4. Материал из Мегаэнциклопедии Кирилла и Мефодия
5. Shao-Heng C., Ming-Long F., Pin S. Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach // Electron Devices, IEEE Trans. Electron Devices, IEEE Trans. Electron Devices, IEEE Trans. 2013. Vol. 60, № 4. P. 1485–1489.
6. Obata T. et al. Photoluminescence of nearly stoichiometric LT-GaAs and LT-GaAs/AlAs MQW // J. Cryst. Growth. 2001. Vol. 228. P. 112–116. 4. Mikulics M. et al. Ultrafast low-temperature-grown epitaxial GaAs photodetectors transferred on flexible plastic substrates // Ieee Photonics Technol. Lett. 2005. Vol. 17, № 8. P. 1725–1727.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
