Автор24

Информация о работе

Подробнее о работе

Страница работы

Туннельный эффект и его применение

  • 17 страниц
  • 2020 год
  • 48 просмотров
  • 1 покупка
Автор работы

user177111

Кaким бы простым ни кaзaлось дело, обрaтись к профессионaлу!

160 ₽

Работа будет доступна в твоём личном кабинете после покупки

Гарантия сервиса Автор24

Уникальность не ниже 50%

Фрагменты работ

ВВЕДЕНИЕ
Туннельный эффект (туннелирование) – прохождение частицы (или системы) сквозь область пространства, пребывание в которой запрещено классической механикой. Наиболее известный пример такого процесса – прохождение частицы сквозь потенциальный барьер, когда её энергия меньше высоты барьера.
Туннельный эффект, туннелирование — преодоление микрочастицей потенциального барьера в случае, когда её полная энергия (остающаяся при туннелировании неизменной) меньше высоты барьера. Туннельный эффект — явление исключительно квантовой природы, невозможное в классической механике и даже полностью противоречащее ей. Аналогом туннельного эффекта в волновой оптике может служить проникновение световой волны внутрь отражающей среды (на расстояния порядка длины световой волны) в условиях, когда, с точки зрения геометрической оптики, происходит полное внутреннее отражение. Явление туннелирования лежит в основе многих важных процессов в атомной и молекулярной физике, в физике атомного ядра, твёрдого тела и т. д.
Актуальность темы реферата заключается в том, что новое явление, называемое туннелированием, позволило объяснить многие экспериментально наблюдавшиеся процессы. Найденное решение позволило понять большой круг явлений и было применено для описания процессов, происходящих при вылете частицы из ядра, - основы атомной науки и техники.
Цель работы – более полное изучение туннельного эффекта и его применения.
Для достижения поставленной цели необходимо решить несколько задач: рассмотреть общие сведения о туннельном эффекте, историю его открытия, теорию туннельного эффекта, туннелирование электронов в твёрдых телах, туннельный диод, физические явления, обусловленные туннельным эффектом, а также применение туннельного эффекта и другие моменты.
Структура реферата включает в себя несколько частей: введение, основную часть (две главы), заключение и библиографический список, состоящий из семи источников литературы.

Оглавление

ВВЕДЕНИЕ 3
1. Общие сведения 5
1.1 История 5
1.2 Теория туннельного эффекта 6
2. Туннельный эффект 9
2.1 Туннелирование электронов в твёрдых телах 9
2.2 Туннельный диод 10
2.3 Физические явления, обусловленные туннельным эффектом 11
2.4 Применение туннельного эффекта 15
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 16
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 17

Структуру работы смотрите в содержании.
Ссылки на литературу есть.
Оформление по ГОСТу.

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Арустамян Д.А., Казакова А.Е. Элементы и приборы наноэлектроники: учебно-методическое пособие к лекционным, практическим занятиям и самостоятельной работе студентов/ Д.А. Арустамян, А.Е. Казакова; Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова. – Новочеркасск: ЮРГПУ(НПИ), 2017. – 48 с.
2. Гасумянц В. Э. Размерное квантование. Часть 1 Энергетический спектр наноструктур : учеб. пособие / В. Э. Гасумянц [и др.] ; под ред. С. Н. Лыкова. – СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2009. − 258 с.
3. Митрофанов В.П. Методы прецизионных физических измерений, основанные на квантовых эффектах: Учебное пособие. – М.: Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, 2010. – 54 с.
4. Ткалич В.Л., Макеева А.В., Оборина Е.Е. «Физические основы наноэлектроники». Учебное пособие. СПб: СПбГУ ИТМО, 2011. – 83с.
5. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физические основы наноэлектроники. Учебное пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий. — Саратов, 2013. — 128 с.
6. Квантовый размерный эффект и квантовое туннелирование с диссипацией как основа представлений современной наноэлектроники. Часть II. Квантовое туннелирование с диссипацией. Инжиниринг и технологии, 2016 – Vol. 1(1)
7. Ушаков, А. В. Идентификация наночастиц и измерение их концентрации в тонких пленках наноструктурированных полимеров / А. В. Ушаков, М. Н. Баршутина, С. Н. Баршутин // Измерит. техника. – 2014 – Т. 57, № 9 – С.16 – 20

Форма заказа новой работы

Не подошла эта работа?

Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям

Оставляя свои контактные данные и нажимая «Заказать Реферат», я соглашаюсь пройти процедуру регистрации на Платформе, принимаю условия Пользовательского соглашения и Политики конфиденциальности в целях заключения соглашения.

Фрагменты работ

ВВЕДЕНИЕ
Туннельный эффект (туннелирование) – прохождение частицы (или системы) сквозь область пространства, пребывание в которой запрещено классической механикой. Наиболее известный пример такого процесса – прохождение частицы сквозь потенциальный барьер, когда её энергия меньше высоты барьера.
Туннельный эффект, туннелирование — преодоление микрочастицей потенциального барьера в случае, когда её полная энергия (остающаяся при туннелировании неизменной) меньше высоты барьера. Туннельный эффект — явление исключительно квантовой природы, невозможное в классической механике и даже полностью противоречащее ей. Аналогом туннельного эффекта в волновой оптике может служить проникновение световой волны внутрь отражающей среды (на расстояния порядка длины световой волны) в условиях, когда, с точки зрения геометрической оптики, происходит полное внутреннее отражение. Явление туннелирования лежит в основе многих важных процессов в атомной и молекулярной физике, в физике атомного ядра, твёрдого тела и т. д.
Актуальность темы реферата заключается в том, что новое явление, называемое туннелированием, позволило объяснить многие экспериментально наблюдавшиеся процессы. Найденное решение позволило понять большой круг явлений и было применено для описания процессов, происходящих при вылете частицы из ядра, - основы атомной науки и техники.
Цель работы – более полное изучение туннельного эффекта и его применения.
Для достижения поставленной цели необходимо решить несколько задач: рассмотреть общие сведения о туннельном эффекте, историю его открытия, теорию туннельного эффекта, туннелирование электронов в твёрдых телах, туннельный диод, физические явления, обусловленные туннельным эффектом, а также применение туннельного эффекта и другие моменты.
Структура реферата включает в себя несколько частей: введение, основную часть (две главы), заключение и библиографический список, состоящий из семи источников литературы.

Оглавление

ВВЕДЕНИЕ 3
1. Общие сведения 5
1.1 История 5
1.2 Теория туннельного эффекта 6
2. Туннельный эффект 9
2.1 Туннелирование электронов в твёрдых телах 9
2.2 Туннельный диод 10
2.3 Физические явления, обусловленные туннельным эффектом 11
2.4 Применение туннельного эффекта 15
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 16
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 17

Структуру работы смотрите в содержании.
Ссылки на литературу есть.
Оформление по ГОСТу.

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Арустамян Д.А., Казакова А.Е. Элементы и приборы наноэлектроники: учебно-методическое пособие к лекционным, практическим занятиям и самостоятельной работе студентов/ Д.А. Арустамян, А.Е. Казакова; Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова. – Новочеркасск: ЮРГПУ(НПИ), 2017. – 48 с.
2. Гасумянц В. Э. Размерное квантование. Часть 1 Энергетический спектр наноструктур : учеб. пособие / В. Э. Гасумянц [и др.] ; под ред. С. Н. Лыкова. – СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2009. − 258 с.
3. Митрофанов В.П. Методы прецизионных физических измерений, основанные на квантовых эффектах: Учебное пособие. – М.: Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, 2010. – 54 с.
4. Ткалич В.Л., Макеева А.В., Оборина Е.Е. «Физические основы наноэлектроники». Учебное пособие. СПб: СПбГУ ИТМО, 2011. – 83с.
5. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физические основы наноэлектроники. Учебное пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий. — Саратов, 2013. — 128 с.
6. Квантовый размерный эффект и квантовое туннелирование с диссипацией как основа представлений современной наноэлектроники. Часть II. Квантовое туннелирование с диссипацией. Инжиниринг и технологии, 2016 – Vol. 1(1)
7. Ушаков, А. В. Идентификация наночастиц и измерение их концентрации в тонких пленках наноструктурированных полимеров / А. В. Ушаков, М. Н. Баршутина, С. Н. Баршутин // Измерит. техника. – 2014 – Т. 57, № 9 – С.16 – 20

Купить эту работу

Туннельный эффект и его применение

160 ₽

или заказать новую

Лучшие эксперты сервиса ждут твоего задания

от 200 ₽

Гарантии Автор24

Изображения работ

Страница работы
Страница работы
Страница работы

Понравилась эта работа?

или

17 января 2020 заказчик разместил работу

Выбранный эксперт:

Автор работы
user177111
4.6
Кaким бы простым ни кaзaлось дело, обрaтись к профессионaлу!
Купить эту работу vs Заказать новую
1 раз Куплено Выполняется индивидуально
Не менее 40%
Исполнитель, загружая работу в «Банк готовых работ» подтверждает, что уровень оригинальности работы составляет не менее 40%
Уникальность Выполняется индивидуально
Сразу в личном кабинете Доступность Срок 1—4 дня
160 ₽ Цена от 200 ₽

5 Похожих работ

Реферат

Элементарные частицы. Их виды

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
350 ₽
Реферат

Использование радиоизотопов в технологии и медицине

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
300 ₽
Реферат

Лазерные источники оптического излучения

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
250 ₽
Реферат

Типы ядерных реакций. Их характеристика

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
280 ₽
Реферат

Черные дыры во вселенной

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
280 ₽

Отзывы студентов

Отзыв Raze об авторе user177111 2017-02-20
Реферат

Благодарю за реферат по физике, качественно и в срок)

Общая оценка 5
Отзыв эколог об авторе user177111 2014-12-17
Реферат

Работа сдана досрочно. Автором доволен. Рекомендую.

Общая оценка 5
Отзыв Алексей Михайлов об авторе user177111 2017-04-29
Реферат

Благодарю за прекрасную работу! Спасибо!

Общая оценка 5
Отзыв Констант69 об авторе user177111 2015-06-16
Реферат

отлично

Общая оценка 5

другие учебные работы по предмету

Готовая работа

Исследование зависимости интенсивности люминесценции пленок оксида цинка от уровня фотовозбуждения при наличии поверхностного плазмонного резонанса.

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
1500 ₽
Готовая работа

«Влияние адсорбции ионов на электропроводность приземного слоя атмосферы»

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
350 ₽
Готовая работа

Измерение температуры

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
800 ₽
Готовая работа

ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ЗОЛОТЫХ И СМЕШАННЫХ Au-Co НАНОКОНТАКТОВ И НАНОПРОВОДОВ

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
2000 ₽
Готовая работа

СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ФЛУОРЕСЦЕНТНЫХ НАНОМАРКЕРОВ СЕМЕЙСТВА ФЛУОРЕСЦЕИНА С АЛЬБУМИНОМ ЧЕЛОВЕКА

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
2000 ₽
Готовая работа

ИССЛЕДОВАНИЕ КВАНТОВЫХ ФЛУКТУАЦИЙ ЭКСИТОННЫХ ПОЛЯРИТОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ МИКРОРЕЗОНАТОРЕ

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
1000 ₽
Готовая работа

Методика обучения законам сохранения в курсе физики средней школы

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
2800 ₽
Готовая работа

НАУЧНАЯ ФАНТАСТИКА КАК МЕТОД ПОВЫШЕНИЯ ИНТЕРЕСА ШКОЛЬНИКОВ К ИЗУЧЕНИЮ ФИЗИКИ

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
750 ₽
Готовая работа

Линии предачи СВЧ

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
1500 ₽
Готовая работа

Исследование и выбор способов прокладки оптических кабелей при строительстве ВОЛС

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
2240 ₽
Готовая работа

Магнитогидродинамические волны в плазме

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
2800 ₽
Готовая работа

ДИПЛОМНАЯ РАБОТА «Измерительный прибор на базе ARDUINO UNO» 70% ап.вуз

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
1700 ₽