Благодарю за реферат по физике, качественно и в срок)
Подробнее о работе
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
ВВЕДЕНИЕ
Туннельный эффект (туннелирование) – прохождение частицы (или системы) сквозь область пространства, пребывание в которой запрещено классической механикой. Наиболее известный пример такого процесса – прохождение частицы сквозь потенциальный барьер, когда её энергия меньше высоты барьера.
Туннельный эффект, туннелирование — преодоление микрочастицей потенциального барьера в случае, когда её полная энергия (остающаяся при туннелировании неизменной) меньше высоты барьера. Туннельный эффект — явление исключительно квантовой природы, невозможное в классической механике и даже полностью противоречащее ей. Аналогом туннельного эффекта в волновой оптике может служить проникновение световой волны внутрь отражающей среды (на расстояния порядка длины световой волны) в условиях, когда, с точки зрения геометрической оптики, происходит полное внутреннее отражение. Явление туннелирования лежит в основе многих важных процессов в атомной и молекулярной физике, в физике атомного ядра, твёрдого тела и т. д.
Актуальность темы реферата заключается в том, что новое явление, называемое туннелированием, позволило объяснить многие экспериментально наблюдавшиеся процессы. Найденное решение позволило понять большой круг явлений и было применено для описания процессов, происходящих при вылете частицы из ядра, - основы атомной науки и техники.
Цель работы – более полное изучение туннельного эффекта и его применения.
Для достижения поставленной цели необходимо решить несколько задач: рассмотреть общие сведения о туннельном эффекте, историю его открытия, теорию туннельного эффекта, туннелирование электронов в твёрдых телах, туннельный диод, физические явления, обусловленные туннельным эффектом, а также применение туннельного эффекта и другие моменты.
Структура реферата включает в себя несколько частей: введение, основную часть (две главы), заключение и библиографический список, состоящий из семи источников литературы.
Оглавление
ВВЕДЕНИЕ 3
1. Общие сведения 5
1.1 История 5
1.2 Теория туннельного эффекта 6
2. Туннельный эффект 9
2.1 Туннелирование электронов в твёрдых телах 9
2.2 Туннельный диод 10
2.3 Физические явления, обусловленные туннельным эффектом 11
2.4 Применение туннельного эффекта 15
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 16
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 17
Структуру работы смотрите в содержании.
Ссылки на литературу есть.
Оформление по ГОСТу.
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Арустамян Д.А., Казакова А.Е. Элементы и приборы наноэлектроники: учебно-методическое пособие к лекционным, практическим занятиям и самостоятельной работе студентов/ Д.А. Арустамян, А.Е. Казакова; Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова. – Новочеркасск: ЮРГПУ(НПИ), 2017. – 48 с.
2. Гасумянц В. Э. Размерное квантование. Часть 1 Энергетический спектр наноструктур : учеб. пособие / В. Э. Гасумянц [и др.] ; под ред. С. Н. Лыкова. – СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2009. − 258 с.
3. Митрофанов В.П. Методы прецизионных физических измерений, основанные на квантовых эффектах: Учебное пособие. – М.: Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, 2010. – 54 с.
4. Ткалич В.Л., Макеева А.В., Оборина Е.Е. «Физические основы наноэлектроники». Учебное пособие. СПб: СПбГУ ИТМО, 2011. – 83с.
5. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физические основы наноэлектроники. Учебное пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий. — Саратов, 2013. — 128 с.
6. Квантовый размерный эффект и квантовое туннелирование с диссипацией как основа представлений современной наноэлектроники. Часть II. Квантовое туннелирование с диссипацией. Инжиниринг и технологии, 2016 – Vol. 1(1)
7. Ушаков, А. В. Идентификация наночастиц и измерение их концентрации в тонких пленках наноструктурированных полимеров / А. В. Ушаков, М. Н. Баршутина, С. Н. Баршутин // Измерит. техника. – 2014 – Т. 57, № 9 – С.16 – 20
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
ВВЕДЕНИЕ
Туннельный эффект (туннелирование) – прохождение частицы (или системы) сквозь область пространства, пребывание в которой запрещено классической механикой. Наиболее известный пример такого процесса – прохождение частицы сквозь потенциальный барьер, когда её энергия меньше высоты барьера.
Туннельный эффект, туннелирование — преодоление микрочастицей потенциального барьера в случае, когда её полная энергия (остающаяся при туннелировании неизменной) меньше высоты барьера. Туннельный эффект — явление исключительно квантовой природы, невозможное в классической механике и даже полностью противоречащее ей. Аналогом туннельного эффекта в волновой оптике может служить проникновение световой волны внутрь отражающей среды (на расстояния порядка длины световой волны) в условиях, когда, с точки зрения геометрической оптики, происходит полное внутреннее отражение. Явление туннелирования лежит в основе многих важных процессов в атомной и молекулярной физике, в физике атомного ядра, твёрдого тела и т. д.
Актуальность темы реферата заключается в том, что новое явление, называемое туннелированием, позволило объяснить многие экспериментально наблюдавшиеся процессы. Найденное решение позволило понять большой круг явлений и было применено для описания процессов, происходящих при вылете частицы из ядра, - основы атомной науки и техники.
Цель работы – более полное изучение туннельного эффекта и его применения.
Для достижения поставленной цели необходимо решить несколько задач: рассмотреть общие сведения о туннельном эффекте, историю его открытия, теорию туннельного эффекта, туннелирование электронов в твёрдых телах, туннельный диод, физические явления, обусловленные туннельным эффектом, а также применение туннельного эффекта и другие моменты.
Структура реферата включает в себя несколько частей: введение, основную часть (две главы), заключение и библиографический список, состоящий из семи источников литературы.
Оглавление
ВВЕДЕНИЕ 3
1. Общие сведения 5
1.1 История 5
1.2 Теория туннельного эффекта 6
2. Туннельный эффект 9
2.1 Туннелирование электронов в твёрдых телах 9
2.2 Туннельный диод 10
2.3 Физические явления, обусловленные туннельным эффектом 11
2.4 Применение туннельного эффекта 15
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 16
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 17
Структуру работы смотрите в содержании.
Ссылки на литературу есть.
Оформление по ГОСТу.
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Арустамян Д.А., Казакова А.Е. Элементы и приборы наноэлектроники: учебно-методическое пособие к лекционным, практическим занятиям и самостоятельной работе студентов/ Д.А. Арустамян, А.Е. Казакова; Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова. – Новочеркасск: ЮРГПУ(НПИ), 2017. – 48 с.
2. Гасумянц В. Э. Размерное квантование. Часть 1 Энергетический спектр наноструктур : учеб. пособие / В. Э. Гасумянц [и др.] ; под ред. С. Н. Лыкова. – СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2009. − 258 с.
3. Митрофанов В.П. Методы прецизионных физических измерений, основанные на квантовых эффектах: Учебное пособие. – М.: Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, 2010. – 54 с.
4. Ткалич В.Л., Макеева А.В., Оборина Е.Е. «Физические основы наноэлектроники». Учебное пособие. СПб: СПбГУ ИТМО, 2011. – 83с.
5. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физические основы наноэлектроники. Учебное пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий. — Саратов, 2013. — 128 с.
6. Квантовый размерный эффект и квантовое туннелирование с диссипацией как основа представлений современной наноэлектроники. Часть II. Квантовое туннелирование с диссипацией. Инжиниринг и технологии, 2016 – Vol. 1(1)
7. Ушаков, А. В. Идентификация наночастиц и измерение их концентрации в тонких пленках наноструктурированных полимеров / А. В. Ушаков, М. Н. Баршутина, С. Н. Баршутин // Измерит. техника. – 2014 – Т. 57, № 9 – С.16 – 20
Купить эту работу vs Заказать новую | ||
---|---|---|
1 раз | Куплено | Выполняется индивидуально |
Не менее 40%
Исполнитель, загружая работу в «Банк готовых работ» подтверждает, что
уровень оригинальности
работы составляет не менее 40%
|
Уникальность | Выполняется индивидуально |
Сразу в личном кабинете | Доступность | Срок 1—4 дня |
160 ₽ | Цена | от 200 ₽ |
Не подошла эта работа?
В нашей базе 85113 Рефератов — поможем найти подходящую