Благодарю за реферат по физике, качественно и в срок)
Подробнее о работе
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
........
Цель. Описать сверхнизковую пороговую генерацию поляритонов при комнатной температуре, используя полностью диэлектрическую микрополость на основе мембраны GaN со спонтанно сформированной нульмерной ловушкой.
Задачи.
1. Охарактеризовать работу резонатора GAN/ALGAN с несколькими квантовыми ямами GAN QWS.
2. Рассмотреть объемную микрополость GaN 32 с 35-периодной решеткой-согласованным Al0.85In0.15N Al0.2Ga0.8N нижним распределенным брэгговским отражателем DBR и 10-периодным SiO2 Si3N 4 верхним DBR.
3. Исследовать поляритонную релаксацию при импульсной нерезонансной оптической накачки в квазиклассическом приближении Больцмана.
Методология. Использованием инновационного метода для изготовления микрополости, который включает фотоэлектрохимическое травление жертвенного слоя InGaN и позволяет включать оптимально выращенные активные квантовые ямы GaN внутри полости с атомно-гладкими поверхностями.
..................
Введение
1. Материалы и методы.
2. Результаты и их обсуждение.
Список литературы
Для предотвращения снижения высокой оригинальности введение приведено не полностью, а в списке лит-ры отражено только кол-во источников
Цена указана со статусом работы "без претензий", поскольку в 5-6 раз дешевле, если заказывать новую работу.
13 источников
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
........
Цель. Описать сверхнизковую пороговую генерацию поляритонов при комнатной температуре, используя полностью диэлектрическую микрополость на основе мембраны GaN со спонтанно сформированной нульмерной ловушкой.
Задачи.
1. Охарактеризовать работу резонатора GAN/ALGAN с несколькими квантовыми ямами GAN QWS.
2. Рассмотреть объемную микрополость GaN 32 с 35-периодной решеткой-согласованным Al0.85In0.15N Al0.2Ga0.8N нижним распределенным брэгговским отражателем DBR и 10-периодным SiO2 Si3N 4 верхним DBR.
3. Исследовать поляритонную релаксацию при импульсной нерезонансной оптической накачки в квазиклассическом приближении Больцмана.
Методология. Использованием инновационного метода для изготовления микрополости, который включает фотоэлектрохимическое травление жертвенного слоя InGaN и позволяет включать оптимально выращенные активные квантовые ямы GaN внутри полости с атомно-гладкими поверхностями.
..................
Введение
1. Материалы и методы.
2. Результаты и их обсуждение.
Список литературы
Для предотвращения снижения высокой оригинальности введение приведено не полностью, а в списке лит-ры отражено только кол-во источников
Цена указана со статусом работы "без претензий", поскольку в 5-6 раз дешевле, если заказывать новую работу.
13 источников
Купить эту работу vs Заказать новую | ||
---|---|---|
0 раз | Куплено | Выполняется индивидуально |
Не менее 40%
Исполнитель, загружая работу в «Банк готовых работ» подтверждает, что
уровень оригинальности
работы составляет не менее 40%
|
Уникальность | Выполняется индивидуально |
Сразу в личном кабинете | Доступность | Срок 1—4 дня |
400 ₽ | Цена | от 200 ₽ |
Не подошла эта работа?
В нашей базе 85111 Рефератов — поможем найти подходящую