Благодарю за реферат по физике, качественно и в срок)
Подробнее о работе
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Принцип действия полупроводниковых приборов объясняется свойствами так называемого электронно-дырочного перехода (p-n - перехода) - зоной раздела областей полупроводника с разными механизмами проводимости.
Электронно-дырочный переход – это область полупроводника, в которой имеет место пространственное ...............
Целью данной работы является рассмотрение электронно-дырочного перехода и его вольтамперной характеристикой.
Задачи работы:
1) ознакомиться с понятием полупроводника;
2) рассмотреть понятие электронно-дырочного перехода;
3) изучить вольтамперную характеристику электронно-дырочного перехода.
Введение 3
1. Общие сведения о полупроводниках 4
2. Характеристики p–n-перехода и его вольтамперная характеристика 8
Заключение 13
Список использованных источников 14
Работа написана по ГОСТ, шрифт 14, интервал 1,5, выравнивание по ширине, Times new roman, сноски в квадратных скобках, источники за последние 5 лет.
1. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников / А.И. Ансельм. - М.: Лань, 2018. - 624 c.
2. Грундман М. Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения / М. Грундман. - М.: Физматлит, 2017. - 772 c.
3. Данлэп У. Введение в физику полупроводников / У. Данлэп. - М.: Издательство иностранной литературы, 2018. - 430 c.
...........
всего 6
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
Принцип действия полупроводниковых приборов объясняется свойствами так называемого электронно-дырочного перехода (p-n - перехода) - зоной раздела областей полупроводника с разными механизмами проводимости.
Электронно-дырочный переход – это область полупроводника, в которой имеет место пространственное ...............
Целью данной работы является рассмотрение электронно-дырочного перехода и его вольтамперной характеристикой.
Задачи работы:
1) ознакомиться с понятием полупроводника;
2) рассмотреть понятие электронно-дырочного перехода;
3) изучить вольтамперную характеристику электронно-дырочного перехода.
Введение 3
1. Общие сведения о полупроводниках 4
2. Характеристики p–n-перехода и его вольтамперная характеристика 8
Заключение 13
Список использованных источников 14
Работа написана по ГОСТ, шрифт 14, интервал 1,5, выравнивание по ширине, Times new roman, сноски в квадратных скобках, источники за последние 5 лет.
1. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников / А.И. Ансельм. - М.: Лань, 2018. - 624 c.
2. Грундман М. Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения / М. Грундман. - М.: Физматлит, 2017. - 772 c.
3. Данлэп У. Введение в физику полупроводников / У. Данлэп. - М.: Издательство иностранной литературы, 2018. - 430 c.
...........
всего 6
Купить эту работу vs Заказать новую | ||
---|---|---|
1 раз | Куплено | Выполняется индивидуально |
Не менее 40%
Исполнитель, загружая работу в «Банк готовых работ» подтверждает, что
уровень оригинальности
работы составляет не менее 40%
|
Уникальность | Выполняется индивидуально |
Сразу в личном кабинете | Доступность | Срок 1—4 дня |
260 ₽ | Цена | от 200 ₽ |
Не подошла эта работа?
В нашей базе 85113 Рефератов — поможем найти подходящую