Супер
Подробнее о работе
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
При разработке технологии выращивания монокристаллов любого по-лупроводникового материала определяют:
1) условия, при которых обеспечивается надежное получение монокри-сталлов с заданной кристаллографической ориентацией, с оптимальными размерами и стехеометрической формой;
2) влияние условий выращивания монокристаллов на возник¬новение в них линейных и точечных дефектов,
3) условия введения в растущий кристалл легирующих приме¬сей и за-висимость их концентрации и распределения в объеме монокристалла от условий выращивания;
4) влияние примесей на возникновение в монокристаллах раз¬личных структурных несовершенств, а также влияние структур¬ных дефектов на характер распределения примесей.
ВВЕДЕНИЕ. 2
ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ. 4
1.1. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ. 4
1.1.1. Выращивание монокристаллов из растворов. 4
1.1.2. Выращивание монокристаллов из паровой фазы. 9
Метод конденсации паров компонентов. 10
Метод диссоциации или восстановления газообразных соединений 13
Метод реакций переноса 16
Методы переноса в протоке. 19
1.2. СОЕДИНЕНИЯ A11 BVI . ОБЩИЕ СВОЙСТВА. 21
1.3.ПОЛУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ СОЕДИНЕНИЙ ТИПА АIIBVI. 26
Технология синтеза и выращивания монокристаллов с определенными свойствами. 29
ЗАКЛЮЧЕНИЕ. 33
Список используемой литературы. 34
Приложение.
реферат по химии
1. «Полупроводниковые соединения AIIIBV», В.Н. Вигдоровича, «Метал-лургия», 1967.
2. «Введение в производство полупроводиковых материалов» В.И. Медведев, «Наука», 1979г.
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
При разработке технологии выращивания монокристаллов любого по-лупроводникового материала определяют:
1) условия, при которых обеспечивается надежное получение монокри-сталлов с заданной кристаллографической ориентацией, с оптимальными размерами и стехеометрической формой;
2) влияние условий выращивания монокристаллов на возник¬новение в них линейных и точечных дефектов,
3) условия введения в растущий кристалл легирующих приме¬сей и за-висимость их концентрации и распределения в объеме монокристалла от условий выращивания;
4) влияние примесей на возникновение в монокристаллах раз¬личных структурных несовершенств, а также влияние структур¬ных дефектов на характер распределения примесей.
ВВЕДЕНИЕ. 2
ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ. 4
1.1. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ. 4
1.1.1. Выращивание монокристаллов из растворов. 4
1.1.2. Выращивание монокристаллов из паровой фазы. 9
Метод конденсации паров компонентов. 10
Метод диссоциации или восстановления газообразных соединений 13
Метод реакций переноса 16
Методы переноса в протоке. 19
1.2. СОЕДИНЕНИЯ A11 BVI . ОБЩИЕ СВОЙСТВА. 21
1.3.ПОЛУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ СОЕДИНЕНИЙ ТИПА АIIBVI. 26
Технология синтеза и выращивания монокристаллов с определенными свойствами. 29
ЗАКЛЮЧЕНИЕ. 33
Список используемой литературы. 34
Приложение.
реферат по химии
1. «Полупроводниковые соединения AIIIBV», В.Н. Вигдоровича, «Метал-лургия», 1967.
2. «Введение в производство полупроводиковых материалов» В.И. Медведев, «Наука», 1979г.
Купить эту работу vs Заказать новую | ||
---|---|---|
0 раз | Куплено | Выполняется индивидуально |
Не менее 40%
Исполнитель, загружая работу в «Банк готовых работ» подтверждает, что
уровень оригинальности
работы составляет не менее 40%
|
Уникальность | Выполняется индивидуально |
Сразу в личном кабинете | Доступность | Срок 1—4 дня |
1500 ₽ | Цена | от 200 ₽ |
Не подошла эта работа?
В нашей базе 85111 Рефератов — поможем найти подходящую