+
Информация о работе
Подробнее о работе
Магниторезистивная оперативная память (MRAM)
- 28 страниц
- 2020 год
- 23 просмотра
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
В последнее время активно развивается новая область науки и техники, исследующая возможность интеграции спиновых и зарядовых свойств, а также управления ими.
В результате этих трудов появились перспективные технологии магниторезистивной памяти (MRAM).
В данной работе рассмотрены спиновые технологии записи и хранения данных, их преимущества и отличии от традиционных механизмов записи.
ВВЕДЕНИЕ 4
1 ОБЗОР ПОИСКОВЫХ СИСТЕМ 5
2 ОПИСАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ 9
2.1 Структура запоминающей ячейки 9
2.2 Производство и применение памяти 16
2.3 Преимущества памяти MRAM 23
3 ПЕРСПЕКТИВЫ И РАЗВИТИЕ ТЕХНОЛОГИИ 27
3.1 Проблемы памяти и способы их решения 27
3.2 Развитие технологии в России 29
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 33
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 35
В современном мире, когда с каждым днем устройства становятся миниатюрней, а скорости чтения и записи данных перестают удовлетворять, возникает необходимость искать новые технологии памяти, отличные от традиционных технологий хранения электрического заряда и полупроводниковых микросхем типа СОЗУ, ДОЗУ.
1 Обзор поисковых систем
Не однократно каждому из нас приходилось пользоваться поисковыми системами в Интернете для поиска информации в сети Интернет. Мы открываем привычный и удобный для нас веб-сервис, не задумываясь, что на самом деле в Интернете есть и другие поисковые системы.
Некоторые считают, что поисковые системы – это небольшие сайты, которые просто ищут другие веб-ресурсы. На самом деле в их основе лежат сложные алгоритмы ранжирования и базы данных с индексными подборками к различным запросам.
Над развитием данных веб-сервисов и алгоритмов работают огромные компании с сотнями сотрудников. Они стараются сделать поиск информации быстрым и удобным для людей, а также хорошенько заработать на контекстно-медийной рекламе и других сервисах.
Популярность используемых поисковых систем приведена на диаграмме, исходными данными которой является проведенный анализ за 2019 год (данные с 01.01.2019 г. по 01.01.2020 г.)
Описание книги одного автора
Аплеснин, С. А. Основы спинтроники / С.А Аплеснин. - М.: Лань,
2010. - 343 c.
Описание книги одного автора
Борисенко, В. Е. Спинтроника. Учебное пособие. Гриф МО Республики Беларусь / В.Е. Борисенко - М.: Бином. Лаборатория знаний, 2017. - 795 c.
Описание книги одного автора
Кузьмин, А.В. Flash-память и другие современные носители информации / А.В. Кузьмин. - М.: Горячая линия - Телеком, 2005. - 721 c.
Описание книги двух авторов
Бабурин, С.А. Магниторезистивная память MRAM компании Everspin Technologies./ С.А. Бабурин, А.В. Самоделов. – М.: Компоненты и технологии, 2012, № 10, 250 с.
Описание книги одного автора
Дмитриев, А. А. Наноструктуры магнитных полупроводников - будущее спинтроники / А.А. Дмитриев. - М.: LAP Lambert Academic Publishing,
2010. - 803 c.
Описание книги трех авторов
Грязнов, Е. Г. Конструкции ячеек радиационно-стойких энергонезависимых ОЗУ, интегрированных в КМОП КНИ процесс. / Е.Г. Грязнов, А.Н. Мансуров, К.О. Петросянц – Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2012. Сборник трудов под общ. ред. академика РАН А. Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012, 611 с.
Описание книги пяти и более авторов
Спиновой транспорт и проблемы магнитной оперативной памяти (MRAM). / А.Ф. Попков, К.А. Звездин, М.Ю. Чиненков, Н.А. Дюжев, А.К. Звездин. – Инженерная физика, 2012, № 9, 235 с.
Описание электронного источника
Зюбин, А. Ю. Спинтроника и магниторезистивная память. http://itkaliningrad.ru/articles/7/0/27454.
Описание электронного источника
Теряева Н. Кто первым оседлает вертлявый спин.
http://open-dubna.ru/13-nauka/741-kto-pervym-osedlaet-vertlyavyj-spin.html.
Описание электронного источника
Шишков А. Современная компонентная база. ОЗУ. http://frelamk.narod.ru/olderfiles/1/OZURAMnvRAM.pdf.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
