Спасибо за работу! Выручили! Надеюсь на дальнейшее сотрудничество!
Информация о работе
Подробнее о работе
Интегральные устройства радиоэлектроники
- 26 страниц
- 2014 год
- 247 просмотров
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Введение.
Интегральные устройства – это конструктивно законченные микро-электронные изделия, выполняющие определенные функции преобразования информации, содержащие некоторое количество электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (транзисторов, диодов, конденсаторов, резисторов и т.д.), изготовленных в едином технологическом цикле. Интегральные устройства изготавливают групповым методом по материалосберигающей технологии, тиражирую одновременно в одной партии от нескольких десятков до нескольких десятков тысяч микросхем. По конструктивно–технологическому принципу они делятся на три группы: полупроводниковые, пленочные и гибридные.
В полупроводниковой интегральной микросхеме все элементы и межэлементные соединения выполняются в объеме и на поверхности полупроводниковой подложки.
В пленочной интегральной микросхеме все элементы и соединения между ними выполняются в виде пленок. В настоящее время методом пленочной технологии изготавливают только пассивные элементы – резисторы, конденсаторы и индуктивности. В зависимости от толщины пленки и способа создания элементов пленочные микросхемы делят на тонко– и толстопленочные. К первому типу относятся микросхемы толщина пленки, в которых не превышает 1 мкм, а толщина пленки в толстопленочной микросхеме составляет 10…70 мкм.
В гибридных интегральных схемах в качестве активных элементов ис-пользуются навесные дискретные полупроводниковые приборы или полу-проводниковые интегральные микросхемы, а в качестве пассивных элемен-тов используют пленочные резисторы, конденсаторы, индуктивности и со-единяющие их пленочные проводники.
По функциональному назначению микросхемы подразделяются на аналоговые и цифровые. Если микросхема предназначена для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретных функций, то она называется цифровой (логической). К аналоговым устройствам относятся микросхемы, предназначенные для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. В частном случае аналоговые микросхемы для преобразования и обработки сигналов, изменяющегося линейно, называют линейными.
По степени интеграции микросхемы делятся на:
малые интегральные схемы (МИС) – это схемы 1…2 степени интегра-ции, в состав которых входят один или несколько видов функциональных аналоговых или логических элементов (логические элементы И, ИЛИ, НЕ, триггеры, усилители, фильтры и т.д.);
средние интегральные схемы (СИС) – схемы 2…3 степени интеграции, в состав которых входят один или несколько одинаковых функциональных узлов электронных устройств (регистр, дешифратор, счетчик, постоянно запоминающие устройство);
большие интегральные схемы (БИС) схемы 3…4 степени интеграции, в состав которых входят один или несколько функциональных устройств (арифметико–логическое устройство, оперативное запоминающие устройство и т.д.)
сверхбольшие интегральные схемы (СБИС) – это интегральные схемы 5…7 степени интеграции, представляющие собой законченные микроэлек-тронные изделия, способные выполнять функции аппаратуры (однокристальные ЭВМ, микропроцессоры).
В настоящее время промышленность выпускает множество серий интегральных устройств. Каждая из этих серий характеризуется следующими параметрами: быстродействие (задержка переключения); потребляемая мощность, произведение мощности на время задержки, запас помехоустойчивости, коэффициент разветвления по выходу, требования к напряжению питания, диапазон рабочих температур, плотность размещения элементов на кристалле, степень интеграции, стоимость и др.
Содержание.
Введение. 3
Задание. 5
Анализ задания. 7
Расчетная часть. 8
Расчет порогового напряжения МОП транзисторов. 8
Расчет выходных характеристик управляющего транзистора. 11
МОП транзисторы в качестве нагрузочного элемента. 13
Передаточная характеристика инвертора. 17
Время переключения инвертора. 19
Вывод. 25
Библиографический список. 26
Вывод.
На основании данных расчетов делаем вывод, что максимальное время задержки – это время заряда емкости нагрузки при закрытом управляющем транзисторе.
Разряд емкости через управляющий транзистор происходит существенно быстрее, чем заряд через нагрузочный транзистор, так как соотношение геометрических параметров выбрано таким образом, чтобы сопротивление канала нагрузочного транзистора значительно превышало сопротивление открытого канала управляющего транзистора.
При этом остаточное напряжение на управляющем транзисторе u0 будет минимально, а логический размах передаточной характеристики – максимальным.
Библиографический список.
1. Угрюмов Е.П.«Цифровая схемотехника»-СПб.:БВХ–Петербург, 2004.
2. Красников Г.Я. «Конструктивно – технологические особенности субмикронных МОП – транзисторов». В 2-х частях. – М.: Техносфера, 2004.
3. Конструирование аппаратуры на БИС и СБИС / под редакцией Б.Ф. Высоцкого, В.Н. Сретенского. – М.: Радио и связь, 1989.
4. Цветов В.П. «Современные методы конструирования и технологии радиоэлектронных средств». Письменные лекции. – СПб.: СЗТУ, 2005. – 48 с.
5. Интегральные устройства радиоэлектроники. Ч.1: учебно-методический комплекс / сост. В.П. Цветов. - СПб.: Изд-во СЗТУ, 2009. –145 с.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
