Спасибо за работу! Выручили! Надеюсь на дальнейшее сотрудничество!
Информация о работе
Подробнее о работе
импульсный усилитель
- 50 страниц
- 2013 год
- 260 просмотров
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Целью данной курсового проекта является разработка импульсного усилителя предназначенного для работы в 50 – ти омном тракте передачи, с диапазоном рабочих частот от 15 кГц до 25 МГц и уровнем положительного выходного сигнала 5 В.
В ходе выполнения данного проекта требуется определить число каскадов УУ и распределить искажения по этим каскадам. При необходимости ввести дополнительные каскады. Для каждого каскада выбрать подходящий транзистор, рассчитать эквивалентные параметры для этого транзистора. Рассчитать цепи питания и термостабилизации, оценить нелинейные искажения. Так же необходимо рассчитать УУ в области нижних частот (больших времен) и рассчитать регулировки усиления. Построить переходную характеристику усилительного устройства и составить схему наилучшим образом удовлетворяющую поставленным требованиям технического задания.
Введение…………………………………………………………………….…………...............5
1 Расчёт структурной схемы усилителя…………………………………...………………….6
1.1 Определение числа каскадов………………………………………………....................6
1.2 Распределение искажений по каскадам…………………………………………….......6
2 Расчёт оконечного каскада……………………………………………………………....…...8
2.1 Выбор транзистора………………………………………………………………………8
2.2 Расчёт требуемого режима транзистора………………………………………………..8
2.3 Расчёт эквивалентных параметров транзистора………………………………..……. .9
2.4 Расчёт цепей питания и термостабилизации……………………………… …….…..10
2.5 Расчёт основных характеристик выходного каскада в области ВЧ………………....12
3 Расчёт предварительных каскадов………………………………………………………….14
3.1 Расчёт промежуточного каскада с общим коллектором……………………………..14
3.1.1 Расчёт требуемого режима транзистора ………………………………………..14
3.1.2 Расчёт эквивалентных параметров транзистора………………………………..15
3.1.3 Расчёт цепей питания и термостабилизации……………………………….......15
3.1.4 Расчёт основных характеристик каскада в области ВЧ…………………….....17
3.2 Расчёт промежуточного каскада с общим эмиттером………………………………..19
3.2.1 Выбор транзистора……………………………………………………………….19
3.2.2 Расчёт требуемого режима транзистора ………………………………………..19
3.2.3 Расчёт эквивалентных параметров транзистора………………………....……..20
3.2.4 Расчёт цепей питания и термостабилизации………………………...……........21
3.2.5 Расчёт основных характеристик каскада в области ВЧ……………………......22
3.3 Расчёт входного каскада……………………………………………………………….24
3.3.1 Выбор транзистора……………………………………………………………….24
3.3.2 Расчёт требуемого режима транзистора ………………………………………..24
3.3.3 Расчёт эквивалентных параметров транзистора……………………….……….25
3.3.4 Расчёт цепей питания и термостабилизации…………………………………...26
3.3.5 Расчёт основных характеристик каскада в области ВЧ……………………......28
4 Расчёт усилителя в области НЧ……………………………………………………............30
4.1 Расчёт ёмкостей разделительных конденсаторов........................................................30
4.2 Расчёт ёмкостей блокировочных конденсаторов........................................................31
5 Оценка нелинейных искажений……………………………………………………...….....33
5.1 Нелинейных искажений входного каскада..................................................................33
5.2 Нелинейных искажений каскада с общим эмиттером...................................……….33
5.3 Нелинейных искажений каскада с общим коллектором............................................34
5.4 Нелинейных искажений оконечного каскада..............................................................34
6 Расчёт регулировок усиления................................................................................................36
7 Расчёт результирующих характеристик………………………………………………......38 Заключение……………………………………………………………......................................39
Список использованных источников………………………………………...........................40
Приложение А Переходная характеристика…………….……..………………………...….41
Приложение Б Справочные данные о транзисторе Е1 –28.....................................................42
Приложение В Справочные данные о транзисторе 2N5837.. ..…...…………………......…43
Приложение Г Справочные данные о транзисторе 2N5837...………………………..……44
Приложение Д Справочные данные о транзисторе 2N4251…...…………………..………45
Приложение Е Соответствие позиционных обозначений резисторов и конденсаторов каскадов УУ …………………………………………………………………………………..46
Схема электрическая принципиальная Д.2602.1.68.00.012.Э3
Перечень элементов Д.2602.1.68.00.012.ПЭ
расчет импульсного усилителя
1 Красько А.С. Аналоговые электронные устройства: Методические указания по курсовому проектированию. – Томск: ТУСУР, 2000.-42с.: ил.
2 Красько А.С. Аналоговые электронные устройства: Учебное пособие. – Томск: ТУСУР, 2000.-196с.: ил.
3 Нефедов А.В., Аксенов А.И. Транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры. Справочное пособие. – М.: СОЛОН-Пресс, 2006.-600с.:ил.
4 Алексеева И.Н. В помощь радиолюбителю: Сборник. Вып. 109. – М.: Патриот, 1991.-80с.
5 Справочник полупроводниковых приборов / Под ред. Н.Н.Горюнова. – М.: Энергоатомиздат, 1985.
6 Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник / К.М.Брежнева, Е.И.Гантман, Т.И.Давыдова и др. Под ред. Перельмана – М.: Радио и связь, 1981. – 656 с.
7 Транзисторы: Справочник / О.П.Григорьев, В.Я.Замятин, Б.В.Кондратьев, С.Л.Пожидаев. – М.: Радио и связь, 1989. – 272 с.
8 Справочник по полупроводниковым приборам / Е.А.Москатов. – Таганрог, 2008. – 219 с.
9 Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник / Б.А.Бородин, В.М.Ломакин, В.В.Мокряков и др.; Под ред. А.В.Голомедова. – М.: Радио и связь, 1985. – 560 с.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
