Спасибо за работу! Выручили! Надеюсь на дальнейшее сотрудничество!
Информация о работе
Подробнее о работе
Транзистор
- 29 страниц
- 2015 год
- 245 просмотров
- 1 покупка
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
ВВЕДЕНИЕ
23 декабря 1947 г. физики лаборатории Bell Labs Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн продемонстрировали созданный ими полупроводни-ковый прибор – аналог электровакуумного триода. Для созданного прибора предлагались названия «полупроводниковый триод» (semiconductor triode), «Solid Triode», «Surface States Triode», «кристаллический триод» (crystal triode), но закрепилось название «транзистор» [8, 10, 13].
Позже к названию «транзистор» начали добавлять термин «биполярный», поскольку все токи в нем обусловлены носителями заряда обоих знаков – как электронами, так и дырками. Это связано с тем, что в 1956 г. был разработан еще один тип транзистора с иным принципом работы, у которого ток формиро-вался носителями заряда только одного знака – или электронами, или дырками. Этот прибор сначала получил название «униполярный транзистор». Современ-ное название «полевой транзистор».
В 1956 г. Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн были награж-дены нобелевской премией по физике «за исследование полупроводников и от-крытие транзисторного эффекта».
В настоящее время биполярные транзисторы используются практически в любом электронном устройстве – от простейших бытовых устройств до слож-нейших вычислительных комплексов.
В линейном режиме биполярные транзисторы используются для усиления и генерации сигналов. В нелинейном (ключевом) режиме они используются в большинстве цифровых интегральных схем, применяемых в вычислительной технике.
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 3
1. ОСНОВНЫЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ И ПРИНЦИП РАБОТЫ 4
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 4
1.1. Основные определения 4
1.2. Принцип работы биполярного транзистора 7
1.3. Математические модели и вольтамперные характеристики БТ 10
1.4. Классификация и система обозначений биполярных транзисторов 16
2. МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ 18
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 18
2.1. Малосигнальные параметры биполярного транзистора 18
2.2. Графическое определение параметров 21
2.3. Эквивалентные схемы биполярного транзистора для малого сигнала 24
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 28
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ И ЛИТЕРАТУРЫ 29
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В курсовой работе рассмотрены теоретические вопросы, касающиеся би-полярного транзистора.
Во введении кратко рассмотрена история создания БТ.
В первом разделе дано определения БТ и (исходя из него) приведены его упрощенные структуры. Приведены три схемы включения БТ, описаны режи-мы его работы. Подробно рассмотрен принцип работы БТ. Рассмотрены мате-матические модели БТ и приведены графики его вольтамперных характеристик в схемах включения с ОЭ и ОБ. Приведена система обозначения БТ
Во втором разделе рассмотрены вопросы, связанные с описанием БТ как линейного четырехполюсника. Подробно описана система малосигнальных параметров БТ. Приведены примеры их графического определения. Рассмотре-ны эквивалентные схемы БТ в режиме малого сигнала.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ И ЛИТЕРАТУРЫ
1. Войшвилло Г.В. Усилительные устройства: Учебник для вузов.- 2-е изд., перераб. и доп. М.: Радио и связь. 1981.-264 с.
2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов. – 2-е изд., переработ. и доп. – М.: Высш. шк. 1991, 622 с.
3. Грифилд Дж. Транзисторы и и линейные ИС: Руководство по анализу и расчету: Пер. с англ. – М.: Мир, 1992.- 560 с.
4. Жеребцов И.П. Основы электроники: - Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1898.- 352 с.
5. Петухов В.М. Маломощные транзисторы и их зарубежные аналоги. Справочник. - М.: КУбкК-а, 1996. - 672 с.
6. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Изд.4-е, перераб. и доп. М., «Энергия», 1977. 672 с.
7. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. Изд. 2, испр. и доп. Изд-во «Советское радио», 1970, 592 с.
8. Шокли В. Теория электронных полупроводников. М., Изд-во иностр.
лит., 1953. 714 с.
9. Ebers J.J., Moll J.L. Large-signal behavior of junction transistors. – «Proc. IRE», 1954, № 12, p. 1761-1772.
10. Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors. – «Bell System Technical Journal», 1949, vol.28, p.435-480.
11. http://cqmrk.topf.ru/viewtopic.php?id=106
12. https://ru.wikipedia.org/wiki/
13. http://izdat.psuti.ru/?page_id=1147
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
