Спасибо за работу! Выручили! Надеюсь на дальнейшее сотрудничество!
Информация о работе
Подробнее о работе
Физические основы работы полевого транзистора
- 26 страниц
- 2017 год
- 172 просмотра
- 1 покупка
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Полупроводниковые приборы благодаря малым габаритам и массе, незначительному потреблению электроэнергии, высокой надёжности и долговечности широко применяются в различной радиоэлектронной аппаратуре. В настоящее время почти вся бытовая радиоэлектронная техника, включая телевизоры, приёмники, магнитофоны и др., работает на полупроводниковых приборах и микросхемах. Применение полупроводниковых приборов в электронных вычислительных машинах позволило решить проблему достижения высоких эксплуатационных параметров ЭВМ при обеспечении требуемой надёжности. Для конструирования надёжных схем на транзисторах, то есть для правильного выбора типа транзистора, грамотного расчёта схем, выбора оптимального теплового и электрического режимов, необходимо располагать подробными сведениями, характеризующими эксплуатационные свойства транзисторов.
Срок службы полупроводниковых приборов и их экономичность во много раз больше, чем у электронных ламп. За счёт чего транзисторы нашли широкое применение в микроэлектронике
Введение
1. Основные сведения о полевых транзисторах
1.1 История создания полевых транзисторов
1.2 Понятие полевого транзистора
2 Классификация полевых транзисторов
2.1 Транзисторы с управляющим p - n переходом
2.2 Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)
2.3 МДП-транзисторы с индуцированным и встроенным каналами
2.4 МДП-структуры специального назначения
3 Схемы включения полевых транзисторов
4 Параметры полевого транзистора
5 Частотные и шумовые свойства
6 Тепловые параметры
7 Максимально допустимые параметры и ВАХ транзистора
8 Рекомендации по эксплуатации полевых транзисторов
9 Применение полевых транзисторов
Заключение
Список используемой литературы
Курсовая работа по основам наноэлектроники. Физические основы работы полевого транзистора. Можно использовать и как реферат так как работа носит скорее описательный характер
Джесси Рассел Полевой транзистор, VSD, 2012. - 80 стр.
Р. Куэй Электроника на основе нитрида галлия/Пер.с англ./ под ред. д.ф.−м.н. А.Г. Васильева, М.: Техносфера, 2011. - 592с.
Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: учебн. пособие, М.: Высшее образование, Юрайт- Издат. 2009.- 463 стр.
Горбацевич А.А. Полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе/А.А. Горбацевич и др.//Нанотехнологии в электронике/под ред. Ю.А. Чаплыгина. - М. Техносфера, 2005. - С. 172 - 242.
Москатов Е. А. Электронная техника. Специальная редакция для журнала “Радио”. - Таганрог, 2004. - 121 стр.
B. Van Zeghbroeck Principles of Semiconductor Devices, 2011.- 715 pp. M. Sze, Kwok K. Ng Physics of Semiconductor Devices, John Wiley&Sons; Inc., Hoboken, New Jersey, 2007. - 793 pp.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
