Спасибо за работу! Выручили! Надеюсь на дальнейшее сотрудничество!
Информация о работе
Подробнее о работе
Получение полупроводниковой гетероструктуры с заданными свойствами методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- 35 страниц
- 2016 год
- 60 просмотров
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Целью курсовой работы является определение входных параметров технологического процесса на основании термодинамического анализа процесса эпитаксии, для обеспечения заданного состава и уровня легирования для каждого слоя ДГС лазера. Состав твердого раствора для активной области должен обеспечивать излучение на заданной длине волны λ = 1.65 мкм и обладать изопериодностью к подложке InP при температуре эпитаксии. Состав твердого раствора широкозонного эмиттера должен быть определен таким образом, чтобы обеспечить эффекты электронного и оптического ограничения и изопериодность. Толщина слоев должна быть меньше критической толщины, воизбежание деформаций структуры.
Введение 5 1. Краткое описание принципа работы проектируемого прибора 6 2. Описание технологического процесса и его аппаратурногооформления
9 3. Расчет составов эпитаксиальных слоев гетероструктуры, обеспечивающих её изопериодность и работу в заданном спектральном диапазоне (на заданной длине волны). Определение толщин составляющих гетероструктуру слоев, их уровня легирования. Построение зонной диаграммы гетероструктуры
13 4. Расчет параметров деформированного состояния гетероструктуры (деформаций и упругих напряжений) при комнатной температуре и в условиях эпитаксии. Расчеткритическойтолщиныгетероструктуры
20 5. Определение входных параметров технологического процесса на основании расчета гетерогенных равновесий или термодинамического анализа процесса эпитаксии
26 6. Расчет скорости роста и времени выращивания слоев заданной толщины
32 7. Рекомендации по легированию и расчет процесса легирования слоев 33 Заключение 35 Список литературы
Курсовая работа содержит краткое описание принципа работы ДГС лазера и технологического процесса получения его структуры. Были рассчитаны составы компонентов заданной гетероструктуры на основе системы InP/AlInAs/GaInAs на подложке InP для заданной длины излучения λ= 1.65 мкм и для обеспечения изопериодности и эффектов электронного и оптического ограничения. Также были рассчитаны параметры напряженного состояния структуры и определена критическая толщина. Из термодинамического анализа процесса эпитаксии были определены параметры технологического процесса, расчитаны скорость и время роста слоев гетероструктуры.
2016 год, Спб, защищено на отлично.
1. Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника [Текст] / А.Н. Пихтин. – М.: Высш. шк., 2001. – 573 с. 2. Херман М.Полупроводниковые сверхрешетки[Текст] / М. Херман. - М.: Мир, 1989. – 240 с. 3. Александрова О. А., Мошников В. А. Физика и химия материалов оптоэлектроники и наноэлектроники[Текст] /О.А. Александрова. - СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2007.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
