Спасибо за работу! Выручили! Надеюсь на дальнейшее сотрудничество!
Информация о работе
Подробнее о работе
Получение полупроводниковой гетероструктуры с заданными свойствами методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- 33 страниц
- 2016 год
- 109 просмотров
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Целью курсовой работы является определение входных параметров технологического процесса на основании термодинамического анализа процесса эпитаксии, для обеспечения заданного состава четырехкомпонентного раствора AlxGayIn1-x-yAs и уровня легирования для каждого слоя ДГС лазера. Состав твердого раствора AlxGayIn1-x-yAs для активной области должен обеспечивать излучение на заданной длине волны λ = 1.55 мкм и обладать изопериодностью к подложке InP при температуре эпитаксии. Состав твердого раствора широкозонного эмиттера должен быть определен таким образом, чтобы обеспечить эффекты электронного и оптического ограничения и изопериодность. Толщина слоев должна быть меньше критической толщины, для чего в работе произведен расчет деформаций и упругих напряжений при комнатной температуре. В работе была выбрана структура N-n-P и подобраны, подходящие для процесса молекулярно-пучковой эпитаксии, легирующие донорные и акцепторные примеси.
Введение 5
Кратное описание принципа работы проектируемого прибора 6
Описание технологического процесса и его аппаратурного оформления 8
Расчет составов эпитаксиальных слоев гетероструктуры, обеспечивающих её изопериодность и работу на заданной длине волны. Определение толщин составляющих гетероструктуру слоев, их уровня легирования. Построение зонной диаграммы 12
Расчет составов эпитаксиальных слоев гетероструктуры, обеспечивающих её изопериодность и работу на заданной длине волны.
12
Определение толщин составляющих гетероструктуру слоев 13
Определение уровней легирования слоев гетероструктуры и построение зонной диаграммы 14
Расчет параметров деформированного состояния гетероструктуры (деформаций и упругих напряжений) при комнатной температуре и в условиях эпитаксии. Расчет критической толщины гетероструктуры.
18
Определение входных параметров технологического процесса на основании термодинамического анализа процесса эпитаксии.
22
Расчет скорости роста и времени выращивания слоев заданной толщины.
29
Рекомендации по легированию и расчет процесса легирования слоев.
31
Заключение 33
Список использованных источников 34
Курсовая работа содержит краткое описание ДГС лазера и технологического процесса молекулярно-пучковой эпитаксии. Были рассчитаны составы четырехкомпонентного раствора AlxGayIn1-x-yAs слоев гетероструктуры на подложке InP для заданной длины излучения λ= 1.55 мкм и обеспечения изопериодности и эффектов электронного и оптического ограничения. Также были рассчитаны параметры напряженного состояния гетероструктуры и определена критическая толщина слоев и гетероструктуры. Из термодинамического анализа процесса эпитаксии были определены параметры технологического процесса. Рассчитаны скорость и время роста слоев гетероструктуры.
2016 год, Спб, сдано на отлично.
1. Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника. – М.: Высш. шк., 2001.
2. С. ЗИ. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Мир, 1984.
3. Александрова О. А., Мошников В. А. Физика и химия материалов оптоэлектроники и наноэлектроники: Практикум. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2007.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
