Спасибо!
Информация о работе
Подробнее о работе
Жидкостное химическое травление
- 26 страниц
- 2017 год
- 175 просмотров
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Травление используется для селективной (химической) прорисовки диффузионных масок, формирования изолирующих или проводящих областей, в процессе которого вещество в области, подвергаемой травлению, химически преобразуется в растворимое или летучее соединение. В литографии травление применяется в основном для формирования диффузионных масок в слое термически окисленного кремния или для удаления материала через окна в диэлектрике при изготовлении металлических контактов. Металлическая разводка формируется путем селективного удаления промежутков (обращения изображения); фотошаблоны также изготавливаются травлением металлических пленок. Задача инженера-технолога состоит в том, чтобы обеспечить перенос изображения с резистной маски в подложку с минимальным отклонением размера (Е) и допуском (Т) (см. рис. 1). Из рисунка видно, что суммарное изменение размера при литографии Е обусловлено искажением изображения в резистной маске (0.1 мкм), уходом размера в резисте (0.5 мкм) и уходом окончательного размера в процессе травления 1.0 мкм с допуском в 1.0 мкм.................
1. Введение. 3
1.1. Термодинамика травления. 5
1.2. Общие принципы кинетики травления. 8
1.3. Феноменологический механизм травления. 9
2. Жидкостное травление. 11
2.1. Травление SiO2. 11
2.2. Травление кремния. 14
2.3. Травление многослойных структур. 19
2.4. Травление алюминия. 20
2.5. Травители для алюминия. 21
2.6. Электрохимическое травление. 23
3. Практические аспекты жидкостного химического травления. 23
3.1. Другие характеристики травления. 24
4. Заключение. 25
5. Список литературы. 26
Работа рассматривает жидкостное химическое травление
1. Травление полупроводников [сборик статей]. Пер. с англ. С. Н. Горина. М.: Мир, 1965.
2. Перри Дж. Справочник Инженера-химика/ Пер. с англ. - Т.2. - М.: Химия, 1969.
3. Полтавцев Ю. Г., Князев А. С. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике. - Киев: Тэхника, 1990.
4. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники.[Учеб. для ПТУ: в 10 кн.]. - М: Высш. шк., 1989.
5. Авдеев Е. В., Колтищенков В. М., Пантелеева Т. С. Двумерное топологическое модерирование травления//Электронная промышленность. - 1986.- №4.-С.14-17.
6. Голосов В. В. Электрохимическое травление GaAs. В сб.: Силовые п/п приборы. - Талин : Валгус, 1981.
7. Васильева Н. А., Ерофеева И. Г. Электрохимическое полирование подложек GaAs// Электронная промышленность. -1988.-№8.-С. 39-40.
8. Киреев В. А. Краткий курс физической химии. М.: Химия, 1978.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
