Информация о работе
Подробнее о работе
Кристаллографический анализ структуры и потенциальных свойств заданного материала
- 22 страниц
- 2015 год
- 42 просмотра
- 1 покупка
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Оксид цинка кристаллизуется в трёх фазах: гексагональный вюрцит, кубический сфалерит, и редко встречаемая кубическая модификация поваренной соли. Наиболее часто встречаемая форма – вюрцит. Форма сфалерита может быть устойчивой при выращивании ZnO на подложках с кубической решёткой. ZnO со структурой типа поваренной соли наблюдается при относительно высоких давлениях. Гексагональная структура и структура сфалерита не обладают симметрией по отношению к инверсии. Это приводит к пьезоэлектрическим свойствам этих модификаций и пироэлектрическим свойствам гексагонального ZnO. Как и у большинства II-VI материалов, связь в ZnO преимущественно ионная, что объясняет сильные пьезоэлектрические свойства.
Задание на курсовую работу 3
Краткое описание кристаллографических характеристик
и кристаллофизических свойств материалов 4
Стереографическая проекция элементов симметрии и общей простой формы,
формула симметрии 5
Стандартная установка кристаллографических и кристаллофизических
осей координат, проекция выбранной грани на сетке Вульфа 6
Стереографические проекции всех частных простых форм 8
Операции симметрии матричным методом 9
Оценка возможности возникновения эффектов 13
Пироэлектрический эффект 13
Пьезоэлектрический эффект 13
Поляризация в электрическом поле 14
Электропроводность 14
Расчёт дифрактограмм заданных материалов 15
Выбор материала фильтра 17
Выбор излучения для прецизионной рентгеносъемки 18
Выводы 19
Список литературы 20
Приложение 21
Полное кристаллографическое описание заданного материала.
2015 год, Спб, защита на отлично.
1) Александрова О. А., Максимов А. И., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. Халькогениды и оксиды элементов IV группы. Получение, исследование, применение / Под ред. В. А. Мошникова. – СПб. : ООО «Технолит», 2008. – 240 с.
2) T. Kogure and Y. Bando // J. Electron Microsc. 1993. Vol. 47. № 2. P. 135 – 141.
3) A. B. M. A. Ashrafi, A. Ueta, A. Avramescu et al // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76. № 5.P. 550 – 553.
4) S.-K. Kim, S.-Y.Jeong, C.-R. Cho // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 82. № 4. P. 562 – 565.
5) C. T. Lee // Materials. 2010. Vol. 3. № 4. P. 2218 – 2259.
6) F. H. Leiter, H. R. Alves, A. Hofstaetter et al // Phys. Sta. Sol. B. 2001. Vol. 226. № 1. P. R4 – R5
7) R. Dingle // Phys. Rev. Lett. 1969. Vol. 23. № 11. P. 579 – 581.
8) F. Leiter, H. Alves, D. Pfisterer et al // Physica B. 2003. Vol. 340-342. P. 201 – 204.
9) Y. F. Li, B. Yao, Y. M. Lu et al // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 91. № 2. P. 021915.
10) F.I. Ezema, U. O. A. Nwankwo // Digest Journal of Nanomaterials and Biostructures. 2010. Vol. 5. № 4. P. 981 – 988
11) L. S. Vlasenko, G. D. Watkins. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 71. № 12. P. 125210.
12) Cuscó, E. Alarcón-Lladó, J. Ibáñez et al // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75. № 16. P. 165202.
13) J. Hu, B. C. Pan // J. Chem. Phys. 2008. Vol. 129. № 15. P. 154706.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
