Автор молодец, выручает уже не первый раз и как всегда на отлично. Советую всем.
Подробнее о работе
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Разделы:
1. Полупроводниковые материалы и полупроводниковые диоды
2. Биполярный и полевой транзистор
3. ОЭП и тиристоры
4. Элементная база
I. Какое из перечисленных устройств имеет участок ВАХ с отрицательным наклоном?
1. туннельный диод
2. биполярный транзистор
3. варикап
4. тиристор
5. стабилитрон
II. Какие основные параметры необходимо учитывать при выборе биполярного транзистора?
1. Iкmax, Iбmax, Uкэmax, fгр
2. Iкmax, Iбmax, h21э, fгр
3. Iкmax, Iбmax
4. Iкmax, Iбmax, Uкэmax, h21э
5. Iкmax, Iбmax, Uкэmax, h21э, fгр
III. По условно-графическому изображению определите тип элемента
1. Тринистор с анодным управлением
2. Диод
3. Симистор
4. Тринистор с катодным управление
5. Динистор
IV. На рисунке изображен элемент схемы-
1. Полевой транзистор с изолированным затвором обеднённого типа с N-каналом
2. Полевой транзистор с каналом Р-типа
3. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащённого типа с Р-каналом
4. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащённого типа с N-каналом
5. Полевой транзистор с изолированным затвором обеднённого типа с Р-каналом
Тест по электронике и схемотехнике аналоговых устройств
(243 Вопроса и 5 вариантов ответа на каждый вопрос) Ответы прилагаются.
Список литературы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
Разделы:
1. Полупроводниковые материалы и полупроводниковые диоды
2. Биполярный и полевой транзистор
3. ОЭП и тиристоры
4. Элементная база
I. Какое из перечисленных устройств имеет участок ВАХ с отрицательным наклоном?
1. туннельный диод
2. биполярный транзистор
3. варикап
4. тиристор
5. стабилитрон
II. Какие основные параметры необходимо учитывать при выборе биполярного транзистора?
1. Iкmax, Iбmax, Uкэmax, fгр
2. Iкmax, Iбmax, h21э, fгр
3. Iкmax, Iбmax
4. Iкmax, Iбmax, Uкэmax, h21э
5. Iкmax, Iбmax, Uкэmax, h21э, fгр
III. По условно-графическому изображению определите тип элемента
1. Тринистор с анодным управлением
2. Диод
3. Симистор
4. Тринистор с катодным управление
5. Динистор
IV. На рисунке изображен элемент схемы-
1. Полевой транзистор с изолированным затвором обеднённого типа с N-каналом
2. Полевой транзистор с каналом Р-типа
3. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащённого типа с Р-каналом
4. Полевой транзистор с изолированным затвором обогащённого типа с N-каналом
5. Полевой транзистор с изолированным затвором обеднённого типа с Р-каналом
Тест по электронике и схемотехнике аналоговых устройств
(243 Вопроса и 5 вариантов ответа на каждый вопрос) Ответы прилагаются.
Список литературы
Купить эту работу vs Заказать новую | ||
---|---|---|
1 раз | Куплено | Выполняется индивидуально |
Не менее 40%
Исполнитель, загружая работу в «Банк готовых работ» подтверждает, что
уровень оригинальности
работы составляет не менее 40%
|
Уникальность | Выполняется индивидуально |
Сразу в личном кабинете | Доступность | Срок 1—4 дня |
80 ₽ | Цена | от 200 ₽ |
Не подошла эта работа?
В нашей базе 9514 Ответов на вопросы — поможем найти подходящую