Красавчик
Информация о работе
Подробнее о работе
Наноэлектроника
- 13 страниц
- 2019 год
- 21 просмотр
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Какая из эпитаксиальных технологий хорошо подходит для выращивания гетероструктур с резкими границами и сложным профилем?
Молекулярно-пучковая
Газовая из металлоорганических соединений
Жидкостная
Излучательная способность еще называется излучения единичной площадки поверхности излучающего тела.
Квантовыми точками называются … квантовые структуры.
нульмерные
одномерные
двумерные
Влияние электромагнитного поля, сосредоточенного в области, где нет квантовой частицы, на ее квантовое состояние называется эффектом…
Кондо.
Штарка.
Холла.
Аронова–Бома.
Если образующие гетеропереход полупроводники имеют разные значения энергии сродства к электрону, то при образовании гетероперехода создается…
разрыв зоны проводимости.
сдвиг уровней Ферми.
изгиб валентной зоны.
Для получения структур типа «квантовая яма» используют метод … эпитаксии.
молекулярно-пучковой
твердофазной
жидкостной
На практике квантовый эффект Холла можно реализовать и исследовать при … температурах.
очень низких
комнатных
высоких
Вынужденное излучение в лазере на двойной гетероструктуре впервые было получено при комнатной температуре в непрерывном режиме в {; ; } году благодаря достижениям {; ; }.
В наноразмерных квантовых пленках совокупность большого числа электронов называют…
двумерным ансамблем.
одномерным электронным газом.
двумерным электронным газом.
В лавинных фотодиодах на сверхрешетках для уменьшения шума возможно сделать коэффициент ударной ионизации для электронов значительно больше, чем для дырок за счет…
уменьшения пороговой энергии ударной ионизации при переходе электрона в узкозонный слой.
уменьшения коэффициента ударной ионизации для дырок.
разного действия ускоряющего электрического поля на электрон и на дырку.
В законе смещения Вина произведение длины волны λm максимума на температуру Т…
остается постоянным.
изменяется за счет изменения температуры.
смещается на произведение ΔλΔT.
В туннельном диоде ширина lp-n составляет … нанометров.
единицы
десятки
сотни
Экспериментально установлено, что экстремум излучательной способности абсолютно черного тела смещается при нагреве в сторону … волн.
длинных
средних
коротких
Важнейший параметр полупроводников – запрещенная зона, в слое графена…
больше, по сравнению с традиционными полупроводниками.
отсутствует.
заметно меньше, по сравнению с традиционными полупроводниками.
В структуре «графен на подложке» электрическое напряжение, приложенное к подложке, создает в графене носители заряда разных знаков в зависимости от знака
Баллистический транспорт становится возможным в наноструктурах, когда их размер … свободного пробега носителя заряда.
больше длины
равен длине
меньше длины
Если гетеропереход образован полупроводниками с одинаковым типом проводимости, например, оба имеют n-тип проводимости, то он называется гетеропереходом
В транзисторах GNRFET электроды стока и истока выполнены из…
графена.
палладия.
гафния.
Способ нанесения на подложку тонких плёнок различных веществ с помощью сфокусированных пучков ионов низких энергий носит название … осаждение.
пучковое
катионное
ионно-лучевое
Если при формировании гетеропереходов создаются положительные разрывы зон ΔEc>0 и ΔEv>0, то гетеропереход называется…
изотипным.
положительным.
стандартным.
Графеном называется материал, состоящий из атомов
Установлен аппроксимированный закон о связи между концентрацией x компонент A и В сплава AxВ1–x и его шириной запрещенной зоны Eg:
… связь между EgAB с одной стороны и x, EgA, EgB с другой стороны.
Обратно пропорциональная
Линейная
Логарифмическая
В твердых растворах GaAs—AlxGa1–xAs, из которых изготавливают гетероструктуры, с ростом значения x…
увеличивается ширина запрещенной зоны.
уменьшается подвижность носителей заряда.
увеличивается концентрация свободных носителей заряда.
Эмпирическое правило, применимое для разработки тройных растворов, образующих гетероструктуры, позволяет…
спрогнозировать скорость роста наноразмерных слоев.
подобрать приемлемую температуру выращивания гетероструктуры.
подобрать их состав, чтобы ширина запрещенной зоны в гетеропаре была разной, а межатомное расстояние – одинаково.
Закон Мура был получен в…
1960 г.
1963 г.
1965 г.
1966 г.
При воздействии на квантовое состояние электрона электромагнитного поля его волновая функция изменяет свою фазу под действием…
магнитной индукции.
напряженности электрического поля.
электромагнитных потенциалов.
токов смещения.
При эпитаксиальном наращивании полупроводниковых слоев процессы самоупорядочения и самоорганизации возникают из-за стремления выращиваемой структуры сложного состава к…
установлению равновесного состояния возникающих ростовых структурных дефектов.
компенсации возникающих при росте механических напряжений.
минимуму энергии.
Чем объясняется высокое значение подвижности электронов в новейших транзисторах, обозначаемых аббревиатурой HEMT?
Особыми проводящими свойствами канального полупроводника
Наличием особых структурных центров, образующих уровни перескока электронов в канальном слое
Отсутствием легирования в канальном слое
В приборном применении первого полевого графенового транзистора как устройства электронной логики наличие на островке между истоком и стоком электрона соответствует состоянию {; }, а отсутствие в этом месте электрона соответствует состоянию {; }.
Сильное магнитное поле, достаточное для придания кругового движения электрону в кристалле полупроводника, называется
При ионно-плазменной технологии нанесения тонких пленок происходит разрушение поверхности наносимых в виде пленки твердых тел при их бомбардировке…
плазмой.
ионами.
плазменными волнами.
Механизм Странского–Крастанова реализуется при рассогласовании параметров решеток гетерообразующих полупроводников в пределах…
4—7 %
12—21 %
27—36 %
Чем объясняется высокое значение подвижности электронов в новейших транзисторах, обозначаемых аббревиатурой HEMT?
Особыми проводящими свойствами канального полупроводника
Наличием особых структурных центров, образующих уровни перескока электронов в канальном слое
Отсутствием легирования в канальном слое
Новейшей технологией изготовления алмазных транзисторов является…
водородная обработка алмазной подложки.
плазмо-химическое осаждение алмазной пленки.
парофазная эпитаксия алмазного слоя.
В наноэлектронике есть возможность разместить отдельно друг от друга в разных квантовых ямах сверхрешетки электроны и дырки, что ведет к значительному увеличению их…
подвижностей.
времени жизни.
неравновесной концентрации.
Механизм Странского–Крастанова реализуется при рассогласовании параметров решеток гетерообразующих полупроводников в пределах…
4—7 %
12—21 %
27—36 %
Если сверхрешетки изготавливать из повторяющихся анизотипных гетеропереходов, то такие сверхрешетки называют сверхрешетками.
После окончания Второй мировой войны руководство Bell Labs поставило задачу по созданию телефонии в любое время в любой точке мира – программа связи.
Полупроводниковые приборы наноэлектроники, в которых контролируется перенос малого количества носителей заряда (в том числе одного), называются…
функциональными приборами.
приборами одноэлектроники.
однозарядными приборами.
Установите соответствие между названием уравнения и описывающей его формулой.
1. Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта
а. mυr=n(h/2π)=nℏ
2. Первый постулат Бора
б. hν=Em–En
3. Второй постулат Бора
в. hν=eV+P
В твердых растворах GaAs—AlxGa1–xAs, из которых изготавливают гетероструктуры, с ростом значения x…
увеличивается ширина запрещенной зоны.
уменьшается подвижность носителей заряда.
увеличивается концентрация свободных носителей заряда.
Установлен аппроксимированный закон о связи между концентрацией x компонент A и В сплава AxВ1–x и его шириной запрещенной зоны Eg:
… связь между EgAB с одной стороны и x, EgA, EgB с другой стороны.
Обратно пропорциональная
Линейная
Логарифмическая
Закон Мура продолжает действовать и в наши дни, так что в 2015 году мир отметил его -летие.
В транзисторах GNRFET электроды стока и истока выполнены из…
графена.
палладия.
гафния.
В транзисторах GNRFET роль подзатворного диэлектрика выполняет…
диоксид кремния.
оксид гафния.
оксид германия.
Еще в 30-х годах прошлого века руководство Bell Labs решило значительно повысить надежность систем связи, для чего была сформирована исследовательская группа по разработке твердотельных усилителей вместо вакуумных устройств.
Затворным напряжением можно перестраивать тип проводимости графена от…
примесного к собственному.
ионного к электронному.
электронного к дырочному.
Существует технология формирования квантовых проволок, когда…
в бороздку на подложке полупроводника осаждают полупроводник с другой шириной запрещенной зоны.
гетероструктурная мишень облучается ускоренными тяжелыми ионами в режиме упругого торможения ионов.
имеет место вырезание рентгеновским лучом.
Квантовым эффектом Холла называется квантование … Холла.
угла
напряжения
сопротивления
Вероятность квантово-размерного туннельного эффекта тем больше, чем масса туннелирующей частицы…
больше.
меньше.
ближе к массе электрона.
Кто впервые экспериментально обнаружил р-n-переход в купроксной структуре?
Соотношение ΔEΔt≥h/(4π)=ℏ/2 описывает…
соотношение неопределенностей.
энергетическое соотношение.
временное соотношение.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
