Спасибо автору! Работа выполнена отлично и в срок! Обращаюсь не в первый раз, всем советую
Подробнее о работе
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Первые патенты на принцип работы полевых транзисторов были зарегистрированы в Германии в 1928 году (в Канаде, 22 октября 1925 года) на имя австро-венгерского физика Юлия Эдгара Лилиенфельда.В 1934 году немецкий физик Оскар Хейл запатентовал полевой транзистор. Полевые транзисторы (в частности, МОП-транзисторы) основаны на простом электростатическом эффекте поля, по физике они существенно проще биполярных транзисторов, и поэтому они придуманы и запатентованы задолго до биполярных транзисторов. Тем не менее, первый МОП-транзистор, составляющий основу современной компьютерной индустрии, был изготовлен позже биполярного транзистора, в 1960 году. Только в 90-х годах XX века МОП-технология стала доминировать над биполярной
Виды
История создания
Классификация
Биполярные n-p-n структуры, «обратной проводимости».
p-n-p структуры, «прямой проводимости»
Полевые с p-n переходом
с изолированным затвором
Однопереходные Криогенные транзисторы (на эффекте Джозефсона
Транзи́стор (от англ. transfer — переносить и resistance — сопротивление или transconductance — активная межэлектродная проводимость и varistor — переменное сопротивление) — электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.
Jesse, Russell Биполярный транзистор / Jesse Russell. - м.: vsd, 2012. - 896 c. 2. Андреев, Ю.А. Измерительная аппаратура на транзисторах / Ю.А. Андреев, Б.Г. Волков. - М.: Энергия, 2015
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
Первые патенты на принцип работы полевых транзисторов были зарегистрированы в Германии в 1928 году (в Канаде, 22 октября 1925 года) на имя австро-венгерского физика Юлия Эдгара Лилиенфельда.В 1934 году немецкий физик Оскар Хейл запатентовал полевой транзистор. Полевые транзисторы (в частности, МОП-транзисторы) основаны на простом электростатическом эффекте поля, по физике они существенно проще биполярных транзисторов, и поэтому они придуманы и запатентованы задолго до биполярных транзисторов. Тем не менее, первый МОП-транзистор, составляющий основу современной компьютерной индустрии, был изготовлен позже биполярного транзистора, в 1960 году. Только в 90-х годах XX века МОП-технология стала доминировать над биполярной
Виды
История создания
Классификация
Биполярные n-p-n структуры, «обратной проводимости».
p-n-p структуры, «прямой проводимости»
Полевые с p-n переходом
с изолированным затвором
Однопереходные Криогенные транзисторы (на эффекте Джозефсона
Транзи́стор (от англ. transfer — переносить и resistance — сопротивление или transconductance — активная межэлектродная проводимость и varistor — переменное сопротивление) — электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.
Jesse, Russell Биполярный транзистор / Jesse Russell. - м.: vsd, 2012. - 896 c. 2. Андреев, Ю.А. Измерительная аппаратура на транзисторах / Ю.А. Андреев, Б.Г. Волков. - М.: Энергия, 2015
Купить эту работу vs Заказать новую | ||
---|---|---|
0 раз | Куплено | Выполняется индивидуально |
Не менее 40%
Исполнитель, загружая работу в «Банк готовых работ» подтверждает, что
уровень оригинальности
работы составляет не менее 40%
|
Уникальность | Выполняется индивидуально |
Сразу в личном кабинете | Доступность | Срок 1—4 дня |
680 ₽ | Цена | от 200 ₽ |
Не подошла эта работа?
В нашей базе 8461 Презентации — поможем найти подходящую