Информация о работе
Подробнее о работе
Изменение характеристик МДП-транзисторных структур при облучении быстрыми электронами
- 18 страниц
- 2014 год
- 161 просмотр
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
виды транзисторов
основные характеристики и как они изменяются при воздействии облучения
Изменение характеристик МДП-транзисторных структур при облучении быстрыми электронами
.Э.Н. Вологдин, А.П. Лысенко Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов Учебное пособие , Москва 2001 г
3.Статья М.Д. Варенцов, Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко «Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии» УДК 539.125.5.04:621.315.59
4.Э.Н. Вологдин, А.П. Лысенко «Интегральные радиационные изменения параметров полупроводниковых материалов»Учебное пособие, Москва 1998г
5.Статья В.А. Саакян «Действие различных видов облучения на параметры кремниевых полупроводниковых приборов», УДК 621.382
6. Статья Г.П. Гайдар «Отжиг радиационных дефектов в кремнии» УДК 621.315.592
7.Статья В.Н. Брудный «Радиационные эффекты в полупроводниках», УДК 621.315.592:539.293
8.А.И. Курносов,В.В.Юдин «Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем», Москва,изд.Высшая школа,1986
9. Статья Ф.П. Коршунов1), Ю.В. Богатырев1), С.Б. Ластовский1), В.И. Кульгачев1), Л.П. Ануфриев2),И.И. Рубцевич2), В.В. Глухманчук2), Н.Ф. Голубев2) «Радиационно-термическая обработка мощных кремниевых диодов»
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
