Все сделано качественно
Информация о работе
Подробнее о работе
Структура пленок нитрида кремния
- 16 страниц
- 2017 год
- 62 просмотра
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Актуальность работы. В производстве полупроводниковых ИМС важную роль играют слои нитрида кремния Si3N4, которые имеют маскирующие, диэлектрические, изолирующие и защитные свойства. В конструкции полупроводниковых ИМС эти слои используют для изоляции элементов, как диэлектрик затвора в МДП - транзисторах и диэлектрик в МДП - конденсаторах, в качестве подложки для размещения контактных площадок и внутрисхемного соединений из металлических пленок, для межслойной изоляции разведения и защиты кристаллов.
Введение 2
1. Нитрид кремния 3
2. Структура пленок нитрида кремния 6
3. Исследование пленок нитрида кремния 11
Заключение 14
Список литературы 15
Введение 2
1. Нитрид кремния 3
2. Структура пленок нитрида кремния 6
3. Исследование пленок нитрида кремния 11
Заключение 14
Список литературы 15
1 Обижаев Д.Ю. Структура и свойства функциональных слоев нитрида кремния на различных стадиях их формирования в технологии устройств нано- и микросистемной техники. Москва, 2008., с.19-21, 25-27, 50-58.
2 Нитрид кремния в электронике. Под ред. Ржанова А. В. Новосибирск: Наука. Сиб. Отделение, 1982, 200 с.
3 Андриевский Р. А. Нитрид кремния - синтез и свойства. Успехи химии. 1995, т.64, № 3, с. 311 - 329.
4 Андриевский Р.А., Спивак И.И. Нитрид кремния и материалы на его основе. Металлургия, Москва, 1984.
5 Киреев В. Ю., Столяров А. А. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы. М.: Техносфера, 2006, 192 с
6 Лукомський Д.В., Мариненко О.А., Пашков О.С. Пасивація поверхні фотоелектричних перетворювачів за допомогою окислу кремнію в умовах серійного виробництва // Вісник Київського нац. ун-ту ім. Тараса Шевченка. Військово-спеціальні науки. – 2007. – № 14. –С. 17–19.
7 Толливер Д., Новицки Р., Хесс Д. и др. Плазменная технология в производстве СБИС / Пер. c англ. под ред. Н. Айнспрука, Д. Брауна. – М.: Мир, 1987. – C. 387.
8 Мариненко О.А. Вплив параметрів дифузійних процесів на характеристики фотоелектричних перетворювачів // Электроника и связь. – 2007. – № 1. – С. 12–16.
9 Schmidt J., Moschner J.D., Henze J. Recent progress in the surface passivation of silicon solar cells using silicon nitride 19th European Photovoltaic Solar Energy Conf.,7–11 June 2004. – Paris (France), 2004. – Р. 391–996.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
