Очень хороший автор, приятно работать.
Информация о работе
Подробнее о работе
Оптимизация характеристик полупроводников методом радиационной технологии
- 20 страниц
- 2014 год
- 334 просмотра
- 0 покупок
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
2.Виды излучения
3.Радиационные эффекты
4.Термический отжиг
2.1.Облучение гамма квантами.
При взаимодействии гамма – излучения с веществом имеют место в основном три механизма его поглощения и рассеяния: фотоэффект, комптон – эффект и образование электронно-позитронных пар.
При фотоэффекте квант гамма – излучения воздействия с одним из электронов оболочки атома, полностью передает ему энергию и выбивает его за пределы атома. Вылетающий электрон обладает энергией, равной разности энергии поглощенного кванта гамма – излучения и энергии связи электрона в атоме. В результате происходит образование вакантного состояния на соответствующем энергетическом уровне электронной оболочки. На этот вакантный уровень может перейти электрон с более высокого энергетического уровня с испусканием характеристического излучения. Таким образом, при фотоэффекте гамма – квант исчезает, а его энергия расходуется на выбивание из атомов фотоэлектронов и образование характеристического излучения.
...
2.3.Облучение тяжёлыми частицами
Применение в радиационной технологии тяжелых частиц (протонов и альфа-частиц) целесообразно в тех случаях, когда необходимо локальное введение радиационных дефектов, главным образом в приповерхностном слое структур. Это позволяет уменьшить время жизни неосновных носителей заряда только в тех областях, где происходит их накопление, снижающее быстродействие приборов. Энергия протонного или альфа-излучения выбирается, исходя из глубины слоя, в который требуется ввести радиационные дефекты. Например, пробег протонов в кремнии составляет около 1,2 мкм на каждые 100 кэВ (при Еp 1 МэВ). Локальное облучение протонами применяется также для создания с помощью радиационных дефектов полуизолирующих областей, где снижена концентрация основных носителей. Облучение быстрыми электронами (Ее=4 МэВ) уменьшает накопленный заряд Q неравновесных носителей в базе р-n-структуры на основе кремния с удельным сопротивлением 0,5 Ом·см (рис. 4).
...
3.2.Эффекты смещений и радиационное дефектообразование
Помимо эффектов ионизации в твердых телах под воздействием высокоэнергетических частиц возникают радиационные дефекты, под которыми понимаются более или менее устойчивые нарушения структуры, возникающие в кристаллах. Теория образования дефектов в твердом теле при воздействии частиц высокой энергии основывается на предположении о наличии двух процессов. Первый процесс заключается в том, что воздействующая частица, передавая атому твердого тела энергию, выбивает его из узла кристаллической решетки. При этом образуется относительно устойчивый точечный дефект: вакансия – междоузельный атом (пара Френкеля). Вторичный процесс представляет собой взаимодействие выбитого из узла кристаллической решетки атома с соседними атомами. Он может развиваться при наличии у выбитого атома достаточной энергии для выбивания из узла решетки вторичного атома.
...
5. Увеличение быстродействия полупроводниковых приборов.
Большинство полупроводниковых приборов в настоящее время изготавливается на основе кремния. Полученные по обычной диффузионной технологии или с помощью ионной имплантации биполярные кремниевые полупроводниковые приборы обладают значительной инерционностью. Это снижает их быстродействие и не позволяет применять в быстродействующей аппаратуре. Во время эксплуатации таких приборов также велики энергопотери при их коммутации. В основе эффекта инерционности, низкого быстродействия, лежит физический процесс накопления и рассасывания заряда неравновесных носителей в базе р-n-структуры (основы большинства полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, тиристоров и др.) при прохождении электрического тока. При этом, чем чище и совершеннее исходный полупроводниковый кристалл, на основе которого изготовлен прибор, чем больше токи, тем выше инерционность.
...
6. Зависимость основных параметров полупроводника от облучения
Кратко рассмотрим зависимость указанных параметров от облучения.
Время жизни неосновных носителей заряда является важнейшей характеристикой полупроводниковых материалов, применяемых для изготовления полупроводниковых приборов и ИМС. В связи с тем, что время жизни неосновных носителей заряда определяется скоростью объемной рекомбинации на ловушках и локальных центрах, эффективность рекомбинации и, соответственно, время жизни зависят как от концентрации ловушек, так и от вероятности захвата неосновных носителей рекомбинационными центрами. Радиационные дефекты, образующие в запрещенной зоне полупроводника локальные энергетические уровни, представляют собой эффективные центры рекомбинации. Вследствие этого время жизни неосновных носителей весьма чувствительно к воздействию облучения.
...
Э.Н. Вологдин, А.П. Лысенко Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов Учебное пособие , Москва 2001 г
3.Статья М.Д. Варенцов, Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко «Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии» УДК 539.125.5.04:621.315.59
4.Э.Н. Вологдин, А.П. Лысенко «Интегральные радиационные изменения параметров полупроводниковых материалов»Учебное пособие, Москва 1998г
5.Статья В.А. Саакян «Действие различных видов облучения на параметры кремниевых полупроводниковых приборов», УДК 621.382
6. Статья Г.П. Гайдар «Отжиг радиационных дефектов в кремнии» УДК 621.315.592
7.Статья В.Н. Брудный «Радиационные эффекты в полупроводниках», УДК 621.315.592:539.293
8.А.И. Курносов,В.В.Юдин «Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем», Москва,изд.Высшая школа,1986
9. Статья Ф.П. Коршунов1), Ю.В. Богатырев1), С.Б. Ластовский1), В.И. Кульгачев1), Л.П. Ануфриев2),И.И. Рубцевич2), В.В. Глухманчук2), Н.Ф. Голубев2) «Радиационно-термическая обработка мощных кремниевых диодов»
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
